發(fā)布時(shí)間：2025-05-20 02:59

　　隨著近年來SoC芯片的廣泛應(yīng)用,解決SoC的可測(cè)性問題,已經(jīng)成為人們關(guān)注和研究的熱點(diǎn)。針對(duì)SoC測(cè)試向量數(shù)據(jù)量大的問題,目前研究者們已經(jīng)提出了許多的解決方案,其中內(nèi)建自測(cè)試是最有效的一種。在內(nèi)建自測(cè)試中,最典型和最重要的就是存儲(chǔ)體內(nèi)建自測(cè)試控制器,針對(duì)不同的SoC芯片,不同的電路結(jié)構(gòu),不同類型和大小的存儲(chǔ)體,需要考慮相應(yīng)MBIST控制器的設(shè)計(jì),以滿足在不同設(shè)計(jì)中的測(cè)試要求。同時(shí),隨著超大規(guī)模集成電路深亞微米工藝技術(shù)和系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的發(fā)展,使得集成電路的測(cè)試面臨越來越多的困難,尤其是測(cè)試時(shí)的功耗問題。因?yàn)檫^大的功耗會(huì)引起集成電路溫度上升,影響集成電路的正常工作,降低芯片的成品率和可靠性。因此,在芯片測(cè)試的過程中考慮功耗優(yōu)化已經(jīng)成為一種必須。由于SoC芯片中對(duì)存儲(chǔ)體模塊MBIST的廣泛使用,對(duì)其進(jìn)行功耗優(yōu)化的研究也變得非�；钴S,已經(jīng)成為一個(gè)很重要的研究方向。本論文研究了常見MBIST算法的復(fù)雜性,運(yùn)行時(shí)間和故障類型。選取適當(dāng)?shù)乃惴ㄍ瓿闪薋T-SoC芯片所有memory的內(nèi)建自測(cè)試;根據(jù)存儲(chǔ)體的不同設(shè)計(jì)風(fēng)格和層次,實(shí)現(xiàn)了兩種MBIST控制器的設(shè)計(jì),并從多層次對(duì)其進(jìn)行了成功的仿真驗(yàn)證,證明...

【文章頁(yè)數(shù)】：88 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖3.2采用retentionCB和march2算法的MBIST結(jié)果波形圖

所以可以采用march2和retentionCB這兩種算法來設(shè)計(jì)MBIST，結(jié)合這兩種算法可以測(cè)到上述大部分的故障（除了ADOF這樣比較少見的故障），提升MBIST的故障覆蓋率。圖3.2就是采用retentionCB和march2算法測(cè)試存儲(chǔ)體的波形圖。圖3.2采用rete....

圖3.4(a)步驟1波形圖

是mbist_clk要連接到較快的時(shí)鐘上，圖中映射到了CLKA（如果CLKA快于CLKB）則CLKB就會(huì)是浮空的，需要自己加MUX，在MBIST模式下，保證CLKB統(tǒng)一CLKA。3.5.2MBIST執(zhí)行過程明白了MBIST的設(shè)計(jì)之后，還需要知....

圖3.4(b)步驟2波形圖

圖3.4(b)步驟2波形圖步驟3：地址遞增寫全0（一個(gè)地址占5拍），按照地址遞增的順序，對(duì)每個(gè)地址執(zhí)行如下操作：(1)讀，在下一拍讀操作，將看到讀出的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在Q，為全F；(2)寫，在下一拍寫操作，將看到寫入的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在D，為全0；(3)讀，在下一拍讀操作....

圖3.4(c)步驟3波形圖

第三章MBIST可編程控制器的實(shí)現(xiàn)圖3.4(b)步驟2波形圖步驟3：地址遞增寫全0（一個(gè)地址占5拍），按照地址遞增的順序，對(duì)每個(gè)地執(zhí)行如下操作：(1)讀，在下一拍讀操作，將看到讀出的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在Q，為全F；(2)寫，在下一拍寫操作，將看到寫入的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在D....

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