本文主要從微電子封裝中結(jié)構(gòu)的脫層破壞和石化設(shè)備中常見的氫鼓包腐蝕破壞分析缺陷或裂紋的存在對層狀結(jié)構(gòu)的使用性能和壽命的影響。試圖分析含缺陷層狀結(jié)構(gòu)的失效形式,失效機理和失效原因。對于微電子封裝中結(jié)構(gòu)的脫層破壞,本文建立了位于芯片黏結(jié)層和基板之間的圓形脫層在蒸汽壓力和熱應(yīng)力共同作用下的力學(xué)模型。運用彈性薄板理論,推導(dǎo)出圓形脫層在蒸汽壓力和熱應(yīng)力共同作用下?lián)隙鹊谋磉_(dá)式并基于撓度的解析解,推導(dǎo)出模型的應(yīng)變能和應(yīng)變能釋放率。通過比較蒸汽壓力驅(qū)動的圓形脫層在有無熱應(yīng)力作用下的應(yīng)變能釋放率,定量地分析出熱應(yīng)力對圓形脫層擴展的貢獻,并用有限元法進行仿真驗證。通過比較橢圓形脫層在三個不同的虛擬擴展方向的應(yīng)變能和應(yīng)變能釋放率的大小,對橢圓脫層的擴展方向進行討論并通過有限元軟件ABAQUS定量地分析出熱應(yīng)力對橢圓形脫層擴展的貢獻。本文提供了一個更準(zhǔn)確的模型來預(yù)測電子封裝中結(jié)構(gòu)的脫層擴展和失效評估,并為電子封裝在焊接回流過程中熱應(yīng)力在促進蒸汽壓力驅(qū)動的脫層擴展的作用提供了新的理解。對于氫鼓包腐蝕破壞問題,本文研究氫鼓包形成過程中應(yīng)力誘導(dǎo)下氫原子的擴散聚集行為,并考慮氫原子擴散聚集后對裂紋尖端區(qū)域應(yīng)力場的影響,探...

【文章頁數(shù)】：114 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1三級微電子封裝示意圖

緒論接口設(shè)備或裝置[7]”。在傳統(tǒng)定義的層面上，封裝主要為充分實現(xiàn)IC組件的功能提供基本的功能支持和必要的保護。在科學(xué)技術(shù)快速發(fā)展的今天，消費者的需求更加多元化，期望產(chǎn)品滿足功能更佳、價錢更實惠、外觀更美更時尚、攜帶更方便等要求，這些對產(chǎn)品特性的要求促進了封裝技術(shù)不斷變革及封....

圖1-2芯片黏結(jié)層中的脫層現(xiàn)象Fig.1-2Delaminationinthebondinglayerofachip

圖1-2芯片黏結(jié)層中的脫層現(xiàn)象Fig.1-2Delaminationinthebondinglayerofachip總體來講，塑料封裝的微電子器件主要有以下5種力學(xué)失效形式[15]：1.熱應(yīng)力引起的破壞應(yīng)滿足塑封體功能的需要，塑封器件的不同部分需要采用不....

圖1-3“爆米花”效應(yīng)的反應(yīng)過程

（d）第四階段：封裝體發(fā)生“爆米花”式結(jié)構(gòu)破壞圖1-3“爆米花”效應(yīng)的反應(yīng)過程Fig.1-3Theprocessofthe"popcorn"failure5年Fukuzawa最早開始這方面的研究工作，并提出“爆米花”式結(jié)構(gòu)破壞面的研究中，又被很多成果證實[32....

圖2-3封裝體模型示意圖

,011rr平面內(nèi)力表達(dá)式為12(),0(1-)rrrEThNNPN和2分別為芯片黏結(jié)層和基板的熱膨脹系數(shù)。將公式(2-得到應(yīng)變能釋放率的表達(dá)式。脫層的有限元分....

本文編號：4038647