量子點電致發(fā)光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)具有發(fā)光顏色易調,色域廣,色彩飽和度高及能耗成本低等優(yōu)勢,已成為下一代顯示和照明的關鍵性技術。隨著QLED制備工藝的不斷發(fā)展,全溶液法制備QLED因逐漸擺脫對傳統(tǒng)蒸鍍工藝的依賴,加工成本低,生產周期短等特點備受業(yè)界矚目。其中,倒置結構的QLED容易和市場主流的n型非晶硅TFT集成,對高分辨、大尺寸面板的實現(xiàn)十分關鍵。然而,目前利用全溶液法制備的倒置QLED依然存在光提取效率低,開啟電壓高等問題,發(fā)光效率仍然無法與倒置OLED相比,距投入市場應用還有一定距離。因此,通過優(yōu)化材料,利用合適的光調控和界面修飾手段對器件性能進行優(yōu)化,對全溶液倒置QLED市場化應用具有十分重要的意義。本文通過改善QLED電子傳輸層,在器件中引入光耦合結構及小分子自組裝層對全溶液倒置QLED的光學及電學性能進行優(yōu)化。首先,針對目前倒置QLED采用納米顆粒氧化鋅制備工藝繁瑣,不利于工業(yè)化生產的問題,我們首次利用溶膠-凝膠Zn O實現(xiàn)了高效QLED器件的制備。溶膠-凝膠Zn O減小了QLED中的漏電流,縮短了器件制備周期...

【文章頁數(shù)】：81 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1（a）核殼結構膠體量子點示意圖

從而使半導體的連續(xù)能帶因量子化效應演變成分立能級，如圖1.1(b)所示。能帶大小則因材料及尺寸差異而各不相同，隨著量子點顆粒尺寸的不斷減少，量子點能帶逐漸變大，其光譜發(fā)生藍移，器件光譜便可通過改變量子點組分、類型以及尺寸進行調控，如圖1.2所示。可見，QLED光譜顏色因量....

圖1.2目前常用的量子點光譜顏色[19]

圖1.2目前常用的量子點光譜顏色[19]1.2.4量子點激子產生機理與OLED相似，QLED結構類似于“三明治”結構，量子點作為發(fā)光層夾在極之間，如圖1.4所示。器件通過在量子點發(fā)光層內形成激子輻射光子從而發(fā)激子形成過程則由于激發(fā)能量來源和器件內部材料類型的不同而....

圖1.3量子點內部激子形成過程

子點內部激子形成過程。（a）光子激發(fā)產生激子；（b）電荷生激子；（c）FRET產生激子；（d）電離產生激子[17]QLED工作機理在OLED的基礎上發(fā)展而來，其結構如圖1.4所示，主要由發(fā)光層組成。QLED器件的發(fā)光主要經歷三個階段，首先在器偏壓，在外部偏壓的驅....

圖1.4QLED工作機理示意圖

圖1.4QLED工作機理示意圖[17]全溶液QLED文所述，量子點材料因其獨特的量子效應被廣泛應用于發(fā)光器主體發(fā)光材料的QLED色彩飽和度高，發(fā)光光譜窄，在平板照很大的應用前景。同時，由于量子點薄膜可采用旋涂法制備，Q正在向全溶液法邁進，有望實現(xiàn)大面積、可彎折、高效....

本文編號：4035860