二氧化硅基90度光混頻器的設(shè)計(jì)和優(yōu)化
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【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1?90度光混頻器的示意圖??
束信號(hào)光S和本振光L進(jìn)行相干混頻,再經(jīng)過后面的光電平衡探測(cè)器和DSP電??路對(duì)獲得的中頻信號(hào)處理得到輸入信號(hào)。常用的90度光混頻器是一種二端口輸??入四端口輸出的2X4型六端口器件,如圖1.1所示。四個(gè)輸出端口的輸出分別??是S+L、S-L、S+jL和S-jL,且輸出的相對(duì)相位差....
圖1.2基于鈮酸鋰設(shè)計(jì)的6端口光混頻器的示意圖??
硅(Si02)等。??2003年,美國的Arkady?Kaplan等人使用銀酸裡材料制作了一個(gè)電光調(diào)制的??90度光混頻器[17],如圖1.2所示。該相移混頻器通過有源控制,分別在四個(gè)3dB??耦合器和中間上下兩臂上加電壓,使其在定向耦合器輸出端均勻功分,波導(dǎo)兩臂??之間相移差大....
圖1.4二氧化硅制作的PLC型90度光混頻器的示意圖??日本的研究學(xué)者在2010年左右,設(shè)計(jì)并制作了許多種不同類型的二氧化硅??
MKM?w?4?* ̄?fmif.??圖1.3?—種InP做襯底材料設(shè)計(jì)的90度光混頻器的示意圖??基于二氧化硅制作的平面光波導(dǎo)回路相較于常用的半導(dǎo)體光路具有非常高??的光纖耦合效率,最早的利用Si02材料制作光混頻器的時(shí)間是在1994年,由曰??本的SeijiNorimatsu和....
圖1.3?—種InP做襯底材料設(shè)計(jì)的90度光混頻器的示意圖??
基于二氧化硅制作的平面光波導(dǎo)回路相較于常用的半導(dǎo)體光路具有非常高??的光纖耦合效率,最早的利用Si02材料制作光混頻器的時(shí)間是在1994年,由曰??本的SeijiNorimatsu和NoboruTakachio等人制作的[23],如圖1.4所示。整個(gè)器??件的尺寸為130mm><....
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