量子點(diǎn)材料以其高效率、帶隙可調(diào)等優(yōu)勢(shì)剛面世便被應(yīng)用于發(fā)光領(lǐng)域。近年量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum Light Emitting Diodes,QLED)的亮度、EQE 等性能已達(dá)到市場(chǎng)化要求,但QLED想要真正具備實(shí)用性,還需要考慮器件的穩(wěn)定性和使用壽命;而QLED的器件結(jié)構(gòu)決定其是否可以大規(guī)模生產(chǎn)。本文從這兩個(gè)方面入手,先改良了無(wú)機(jī)空穴傳輸層和電子傳輸層材料,并驗(yàn)證了全無(wú)機(jī)QLED在穩(wěn)定性和使用壽命方面的優(yōu)越性,之后又設(shè)計(jì)了頂發(fā)射QLED,大幅提高了 QLED的光取出效率,具體內(nèi)容如下:1.修飾了無(wú)機(jī)空穴傳輸層和電子傳輸層材料,制備了全無(wú)機(jī)QLED器件。由于傳統(tǒng)的無(wú)機(jī)空穴傳輸層和電子傳輸層材料傳輸能力的不匹配,全無(wú)機(jī)QLED的性能一直沒(méi)有明顯的突破。我們?cè)诔Ｒ?jiàn)的無(wú)機(jī)空穴傳輸層材料NiOx中摻入Mg元素得到可溶液制備的Mg-NiOx納米粒子,提高了空穴側(cè)的載流子傳輸能力,改善了空穴傳輸層與量子點(diǎn)之間的能級(jí)匹配。同時(shí)我們對(duì)器件進(jìn)行建模分析,將不同的無(wú)機(jī)電子傳輸層材料與Mg-NiOx進(jìn)行搭配,對(duì)比器件內(nèi)載流子濃度和載流子復(fù)合速率的變化,得到最佳的全無(wú)機(jī)QLED器件結(jié)構(gòu)。全無(wú)機(jī)紅、綠、藍(lán)QL...

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1NASA公布的亞洲夜視圖（來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)）

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)博士學(xué)位論文：量子點(diǎn)發(fā)光二極管的性能優(yōu)化研究件的壽命及穩(wěn)定性，因此對(duì)封裝的要求十分嚴(yán)格，這會(huì)使成本增加，同時(shí)壓時(shí)，有機(jī)物由于受熱和晶化等原因產(chǎn)生的衰退也比較明顯。目前，OLE均采用熱蒸發(fā)有機(jī)小分子的方式，使得設(shè)備成本明顯提高，而且很難實(shí)現(xiàn)顯示器的量產(chǎn)。因此，開(kāi)發(fā)性能....

圖1.2CIE色品圖顯示QLEDs在顯示中有著很高的色彩飽和度[4]

第1章緒論，尤其是在印刷顯示方面，是未來(lái)應(yīng)用基礎(chǔ)研究重點(diǎn)發(fā)展方向之一。QLEDs的商業(yè)化依然存在諸多難題[4-6]，例如與紅綠QLEDs相比擬的光QLEDs的制備，QLEDs整體工作壽命的提高以及是基于印刷技術(shù)QLEDs產(chǎn)品的商業(yè)化實(shí)現(xiàn)等，因此，深入研究....

圖1.3體材料、納米材料、原子和分子的態(tài)密度變化示意圖

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)博士學(xué)位論文：量子點(diǎn)發(fā)光二極管的性能優(yōu)化研究使得電子在晶體中共有化運(yùn)動(dòng)，這種運(yùn)動(dòng)是電子在嚴(yán)格周期性排列的原子間運(yùn)動(dòng)因此存在一個(gè)周期性勢(shì)場(chǎng)，而電子可以運(yùn)動(dòng)的分裂能級(jí)稱為允帶，允帶之間為禁帶。能帶中的態(tài)密度在能量E附近的關(guān)系如下：2123()EEdEddEdGE....

圖1.4量子點(diǎn)的輻射發(fā)光原理圖

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)博士學(xué)位論文：量子點(diǎn)發(fā)光二極管的性能優(yōu)化研究缺陷態(tài)可分為淺能級(jí)和深能級(jí)，淺能級(jí)態(tài)距離導(dǎo)帶底或者價(jià)帶頂較近，大部分情況下，在極低溫度時(shí)，淺能級(jí)缺陷復(fù)合表現(xiàn)為輻射復(fù)合，而深能級(jí)態(tài)因?yàn)榧ぐl(fā)態(tài)的壽命較長(zhǎng)一般表現(xiàn)為非輻射復(fù)合。目前，量子點(diǎn)表面一般都包覆了修飾層，但在量子點(diǎn)表面....

本文編號(hào)：4026320