在過(guò)去的二十年中,無(wú)線通信領(lǐng)域始終保持蓬勃發(fā)展。近年來(lái),通信用戶的飛速增長(zhǎng)及其技術(shù)的快速更新都對(duì)現(xiàn)代無(wú)線通信出了更高的要求。WLAN使移動(dòng)設(shè)備之間的物理連接更為清晰簡(jiǎn)單。隨著WLAN對(duì)于帶寬和數(shù)據(jù)吞吐量及其速率等的要求不斷升,這直接推動(dòng)了最初僅僅只能支持單頻段的802.11 b/g向日后的802.11ac不斷演化。在多輸入多輸出（MIMO）制式下的802.11ac可以給每一條發(fā)送或接收鏈路供的傳輸速率已高達(dá)6Gbps。對(duì)于低噪聲放大器（LNA）而言,其噪聲系數(shù)以及增益十分重要,對(duì)整體接收機(jī)敏感度的影響甚至是決定性的。尤其對(duì)于高頻段工作的LNA,常常要使用價(jià)格高昂的GaAs、MESFET等工藝以減小其寄生參數(shù)的影響。雖然Si CMOS技術(shù)的價(jià)格優(yōu)勢(shì)較為明顯,但其效率與線性度均較差。SiGe BiCMOS作為高性能與低價(jià)格的良好結(jié)合,無(wú)疑給我們供了更好的折中選擇。它不僅兼具了雙極工藝以及CMOS工藝的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn),同時(shí)完全符合射頻電路系統(tǒng)中低功耗等性能要求。本文借助IBM公司的0.35um SiGe BiCMOS工藝,分析設(shè)計(jì)出一款工作在5～6GHz頻段范圍內(nèi),應(yīng)用于802.11ac的LNA,且...

【文章頁(yè)數(shù)】：87 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖2-10.35umSiGeBiCMOS工藝結(jié)構(gòu)橫截面圖

圖2-10.35umSiGeBiCMOS工藝結(jié)構(gòu)橫截面圖Figure2-10.35umSiGeBiCMOSprocesscross-sectionalstructureSiGeBiCMOS工藝的高集成度，本文中LNA的模擬邏輯控制模塊可以在同一芯....

圖2-2普通平面集成雙極型晶體管截面示意圖

第二章SiGe工藝介紹及其器件模型際操作中，由于SiGe層需要非常窄并且不能存在明顯缺陷，從版將它選作雙極晶體管基極的最佳選擇之一。圖2-2和圖2-3分別集成雙極型晶體管截面圖和SiGe異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的截面圖[3形成后，p+SiGe基區(qū)層和p型S....

圖2-3SiGeHBT雙極型晶體管截面示意圖

以將它選作雙極晶體管基極的最佳選擇之一。圖2-2和圖2-3分別是面集成雙極型晶體管截面圖和SiGe異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的截面圖[32]。層形成后，p+SiGe基區(qū)層和p型Si帽層也隨之生長(zhǎng)。圖2-2中虛線料之間的邊界。一般采用本征基區(qū)注入法對(duì)多晶體材料進(jìn)....

圖2-4SiGeHBT晶體管小信號(hào)等效電路圖

E圖2-4SiGeHBT晶體管小信號(hào)等效電allsignalequivalentcircuitdiagramof包含了基極電阻（）、集電結(jié)電發(fā)射極電阻（）、以及集電極點(diǎn)與基區(qū)內(nèi)部之間的串聯(lián)電阻，與發(fā)射極內(nèi)外部之間的寄生電阻控電流源GmVbe表征....

本文編號(hào)：4026126