發(fā)布時(shí)間：2024-12-27 04:00

　　SiGe合金納米顆粒是一種新型的半導(dǎo)體納米材料,對(duì)其微觀特性的研究對(duì)摩爾定律的延續(xù)與納米光電子器件的發(fā)展具有重大意義。目前,關(guān)于SiGe納米材料的報(bào)道較少,對(duì)SiGe納米顆粒快速凝固的分子動(dòng)力學(xué)模擬研究仍處于初級(jí)階段。本文采用分子動(dòng)力學(xué)方法,結(jié)合雙體分布函數(shù)、原子平均能量、配位數(shù)、鍵角分布函數(shù)、二面角分布函數(shù)、最大標(biāo)準(zhǔn)團(tuán)簇分析法與可視化等微觀結(jié)構(gòu)表征方法,模擬研究了1×10～9 K/s冷速下液態(tài)Si₅₀Ge₅₀納米顆粒的快速凝固過(guò)程、不同冷速對(duì)液態(tài)Si₅₀Ge₅₀納米顆粒快速凝固過(guò)程中的微觀結(jié)構(gòu)的影響以及在1×10¹⁰ K/s冷卻速率下Si、Ge組成比例不同對(duì)SiGe合金納米顆粒凝固過(guò)程中微觀結(jié)構(gòu)的影響。本文主要研究結(jié)果:采用Tersoff勢(shì)函數(shù),在1×10～9 K/s冷速下液態(tài)Si₅₀Ge₅₀納米顆粒形成了閃鋅礦結(jié)構(gòu)與纖鋅礦結(jié)構(gòu)相互嵌套的納米晶體結(jié)構(gòu),形狀近似球形。體系開(kāi)始結(jié)晶溫度約為1650 K,結(jié)晶過(guò)程中形成了大量的[4-S000...

【文章頁(yè)數(shù)】：70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1SiGe晶胞示意圖(黃色為Si，綠色為Ge)

米顆粒；在N2環(huán)境溫度分別為900℃和1000℃時(shí)，快速e0.88納米顆粒晶體。Upadhyay[25]發(fā)現(xiàn)在CrSi2中摻入適量熱導(dǎo)率。Ren[26]和Yang[27]在對(duì)SiGe納米顆粒的形狀和e納米顆粒呈橢球形，具有金剛石結(jié)構(gòu)。雖然已有不少e合金的性質(zhì)和制....

圖1.2SiGe合金固液相圖

圖1.2SiGe合金固液相圖[29]1.3.1SiGe合金電學(xué)性質(zhì)在SiGe合金中，其電子遷移率幾乎達(dá)到純Si的兩倍(Ge中電子遷移率為3900cm2/（Vs-1），Si中電子遷移率是1500cm2/（Vs-1），Ge中空穴遷移率是1900cm2....

圖2.1S555分解圖

貴州大學(xué)碩士學(xué)位論文任意原子為中心的基本結(jié)構(gòu)單元（最大標(biāo)準(zhǔn)團(tuán)簇，LSC:thelargeststandardcluster），適合描述有序和無(wú)序體系的局域原子結(jié)構(gòu)。LSCA不僅能清晰地描述兩個(gè)根對(duì)原子與其近鄰原子之間的近鄰情況，而且可以直觀的反映系統(tǒng)的局域結(jié)構(gòu)。LSCA的基本....

圖2.2ICO、tDh、HCP、FCC和BCC結(jié)構(gòu)

圖2.2ICO、tDh、HCP、FCC和BCC結(jié)構(gòu)2.5tDIA結(jié)構(gòu)[4-S000]和[3-S000]團(tuán)簇是半導(dǎo)體材料中常見(jiàn)的LSC類(lèi)型，如圖2.3所示。圖2.3(a)為[4-S000]團(tuán)簇結(jié)構(gòu)，其中心原子與任意一個(gè)近鄰原子構(gòu)成的根對(duì)原子的CNSs均為....

本文編號(hào)：4021102