PCM（Process Control Monitor）是一種反映生產(chǎn)線工藝狀況的質(zhì)量監(jiān)控技術(shù)。文章圍繞影響電荷耦合器件（CCD）工藝中PCM測試結(jié)果的工藝因素展開研究,并對PCM測試結(jié)果進行統(tǒng)計分析,以達到測試結(jié)果用于工藝改進的目的,并最終獲取最佳工藝條件。結(jié)果表明:低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）溫度為700℃、膜厚為580nm時的方塊電阻為18Ω/□;孔工藝采用干法刻蝕CF₄流量為15cm³/min、CHF₃流量為45cm³/min下的接觸電阻為7Ω;柵下埋溝注入磷離子能量為250keV、劑量為2.5×10¹²atom/cm²時,MOS管閾值電壓為-8.5V;二次鋁刻蝕主刻蝕采用Cl₂流量為90cm³/min,BCl₃流量為45cm³/min,N₂流量為30cm³/min可有效避免因殘留物引起的金屬同層漏電。

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 PCM技術(shù)基本原理
2 實驗結(jié)果與分析
    2.1 方塊電阻
    2.2 接觸電阻
    2.3 閾值電壓
    2.4 金屬同層漏電
3 結(jié)論



本文編號：4019483