適于高溫環(huán)境應(yīng)用的壓力傳感器的相關(guān)研究工作備受關(guān)注。以注氧隔離(SIMOX)技術(shù)SOI晶圓為基礎(chǔ),探討了單晶硅高溫壓阻式壓力傳感器芯片和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在傳感器國(guó)家工程中心OEM壓力傳感器制作工藝的基礎(chǔ)上,完成傳感器研制與測(cè)試。結(jié)果表明,在50～300℃溫度范圍,研制的高溫壓力傳感器具有很好的性能,傳感器靜態(tài)靈敏度大于29 mV/MPa,非線(xiàn)性誤差小于0.25%F·S,重復(fù)性小于0.2%F·S,傳感器靈敏度隨溫度升高而增大,非線(xiàn)性隨溫度增加而減小。研制的單晶硅高溫壓力傳感器在軍事和民用方面具有廣闊的應(yīng)用前景。

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【部分圖文】：

冉系湫偷難棺枋醬?釁饔忻攔鶮ulite和Endevco的系列產(chǎn)品［6］。本文在SOI商用晶圓基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)對(duì)敏感薄膜的仿真分析，設(shè)計(jì)了SOI結(jié)構(gòu)敏感芯片，并在MEMS工藝基礎(chǔ)上制備了敏感芯片，同時(shí)對(duì)制備過(guò)程中的關(guān)鍵工藝進(jìn)行分析，最后對(duì)其進(jìn)行不同載荷的性能測(cè)試，分析并比較了測(cè)試結(jié)果。....

冉系湫偷難棺枋醬?釁饔忻攔鶮ulite和Endevco的系列產(chǎn)品［6］。本文在SOI商用晶圓基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)對(duì)敏感薄膜的仿真分析，設(shè)計(jì)了SOI結(jié)構(gòu)敏感芯片，并在MEMS工藝基礎(chǔ)上制備了敏感芯片，同時(shí)對(duì)制備過(guò)程中的關(guān)鍵工藝進(jìn)行分析，最后對(duì)其進(jìn)行不同載荷的性能測(cè)試，分析并比較了測(cè)試結(jié)果。....

傳感器裝到卡具上后,放入高溫烘箱中,分別在50、100、150、200、250、300℃條件下,對(duì)4只傳感器的靜態(tài)特性進(jìn)行多次重復(fù)測(cè)試,并采用最小二乘法對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行線(xiàn)性擬合。結(jié)果表明,在50～300℃溫度范圍內(nèi),設(shè)計(jì)制作的SOI結(jié)構(gòu)單晶硅壓力傳感器具有較好的靜態(tài)特性,靈敏度....

傳感器非線(xiàn)性與溫度關(guān)系如圖6所示,可以看出4只傳感器的非線(xiàn)性隨溫度增加而減小,這一結(jié)果和文獻(xiàn)一致[7],即壓阻效應(yīng)的非線(xiàn)性隨溫度增加而減小。4只傳感器中,力敏電阻阻值與溫度的關(guān)系σ[110]如圖7所示,50℃時(shí),電阻值為4.6kΩ左右,在50～300℃范圍內(nèi),電阻隨溫度線(xiàn)性....

本文編號(hào)：4010149