半導體產(chǎn)業(yè)日新月異的背景下,產(chǎn)品品質(zhì)的不斷提升,而桶式外延設備由于自身結(jié)構特性,已不能適應硅外延產(chǎn)品的發(fā)展現(xiàn)狀,特別是生產(chǎn)的6英寸產(chǎn)品基本無法滿足客戶的要求,因此此類設備面臨著被淘汰的風險。為了挽救這些即將被報廢設備,本文對工藝原理及設備結(jié)構進行了深入學習和研究,通過優(yōu)化設計,最終解決了面臨的難題,充分利用設備的價值,開發(fā)了設備的潛力。本文的設計對推動外延品質(zhì)的提升,促進我國硅外延事業(yè)的發(fā)展都有著重要的意義。本文以硅外延產(chǎn)品為研究對象,主要研究工作包括兩個方面:針對規(guī)模生產(chǎn)出現(xiàn)的電阻率一致性不好的問題,進行了研究分析,特別是在生長溫度方面,通過研究理論知識和離子注入片的特性,選擇了用溫度補償?shù)姆椒ㄒ种茰囟确植嫉牟痪鶆?并設計出了不同的方案,找到最優(yōu)結(jié)果,優(yōu)化了生長溫度。針對厚度一致性不好的問題進行分析,重點研究了氣體流量的原理,對比設備的環(huán)向氣流與縱向氣流對系統(tǒng)的影響,找出差別,通過設計,最終優(yōu)化了氣體流量。文中的所有設計都是在現(xiàn)有工藝無法解決的前提下,從設備方向入手,找出這些設備本身的缺陷,通過改變固有的結(jié)構,創(chuàng)新性地使用不同材料和組成方式實現(xiàn)優(yōu)化。最后將設計的方案實物化,并將其運用在...

【文章頁數(shù)】：52 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖2-1硅外延設備示意圖(1)反應器：材質(zhì)大部分為石英制品，它的構造發(fā)展過程是由開始的臥式逐步演變?yōu)楝F(xiàn)的立式和桶式。其中臥式結(jié)構的主要特點是石英管（如今大部分為了改良一致性使用矩形）擺放時與水平面平行，用來擺放襯底的石墨基座表層包裹了一層碳化硅材質(zhì)的涂層，與

圖2-2PE-2061結(jié)構圖外延爐，這種外延爐能非常好的解決厚度和電阻率均勻性的問題，特產(chǎn)品，并且降低了因意外事故造成的經(jīng)濟損失，隨著微電子工業(yè)的發(fā)[11]

圖2-3紅外反射示意圖δ=（AB+BC）-AD=2Tcos；度；

對電阻率均勻性的影響是顯著的，根據(jù)經(jīng)驗，每當溫度改變4到5℃，將引起化量。因腔體內(nèi)的溫度分布無法直接測量，為確定在PE-2061的成熟工藝配存在一致性不好的問題，影響到電阻率的均勻性，于是借用了離子注入片進行離子注入，就是將摻雜物質(zhì)電離，然后在靜電場中加速，使摻雜元素的....

本文編號：4011123