在量子點(diǎn)電致發(fā)光二極管(quantum-dot light-emitting diodes, QLEDs)的研究中,外界空氣尤其是水氧一直是影響器件性能的主要因素。而有研究表明水是導(dǎo)致QLED器件固定電流下亮度提升的原因之一,因此通過水汽處理的方式對這一效果進(jìn)行提升有利于進(jìn)一步優(yōu)化器件性能。主要基于水對量子點(diǎn)表面缺陷態(tài)的鈍化作用來研究水汽處理量子點(diǎn)發(fā)光層對電致發(fā)光器件整體性能的影響,并探索最佳處理時(shí)間。首先利用全溶液法制備了一系列QLED器件,并在制備過程中對量子點(diǎn)膜層進(jìn)行水汽處理,通過保持濕度不變改變處理時(shí)長的方式改變水汽處理程度。然后對各個(gè)器件進(jìn)行電致發(fā)光光譜的表征,結(jié)果表明經(jīng)過水汽處理的QLED器件的電致發(fā)光光譜相對未處理器件有一定程度的藍(lán)移,并且隨著處理時(shí)間的延長藍(lán)移程度增大,分析發(fā)現(xiàn)這是水分子氧化量子點(diǎn)引起表面鈍化從而減少帶邊缺陷態(tài)發(fā)光的結(jié)果。此外,通過測量各個(gè)器件的電流密度-電壓-亮度(J-V-L)曲線對比不同水汽處理時(shí)長下器件的電流密度和發(fā)光強(qiáng)度大小,并通過計(jì)算得到各器件的電流效率曲線。結(jié)果表明隨著處理時(shí)間的延長, QLED器件的亮度和電流效率都取得較大幅度的提升,處理時(shí)...

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【部分圖文】：

圖1(a)器件結(jié)構(gòu)及其能級圖;(b)經(jīng)過不同時(shí)間水汽處理后器件的電致發(fā)光光譜圖

本文所采用的器件結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT∶PSS/TFB/QD/ZnO/Al,器件結(jié)構(gòu)及能級圖如圖1(a)所示。首先研究了QLED器件在空氣環(huán)境中的老化情況,以分析空氣中的水汽對老化性能的影響。將在相同條件下制備的四組器件分別在空氣中放置0/20/40/60min后,....

圖2經(jīng)過不同時(shí)間水汽處理后器件的性能對比圖

器件的電流-電壓-亮度(J-V-L)特性曲線如圖2(a)所示。發(fā)光層經(jīng)水汽處理的器件在相同的電壓下具有更高的亮度,當(dāng)電壓為8V時(shí)處理時(shí)長為3min的器件亮度為97000cd·m-2,較同電壓下未處理器件高10000cd·m-2。其中亮度的提高主要是量子點(diǎn)表面缺....

圖3(a)經(jīng)過不同時(shí)間水汽處理的器件壽命曲線;(b)按最高亮度歸一化壽命曲線

從圖3(a)中還可以發(fā)現(xiàn),隨著水汽處理時(shí)間的增大,初始亮度提升的幅度逐漸減小,T1(器件初始亮度Linitial提升至最大值Lmax所用時(shí)長)和T2(器件由亮度最大值Mmax衰減至50%所用時(shí)長)階段對應(yīng)的初始亮度及亮度最大值如表3所示。經(jīng)1min處理的器件最高亮度達(dá)到....

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