絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)動態(tài)測試平臺的雜散電感對IGBT器件動態(tài)參數(shù)測試結果有很大的影響。提出采用積分法計算測試平臺回路雜散電感,可以提高計算結果的準確性。首先,分析了IGBT動態(tài)測試平臺雜散電感分布特點,建立了等效電路模型。其次,分析了IGBT開關瞬態(tài)過程中的波形特點以及續(xù)流二極管(free-wheeling diode,FWD)反向恢復與正向恢復特性;提出開通波形相對于關斷波形更有利于計算雜散電感。最后,建立了仿真電路模型與試驗測試平臺,仿真分析結果與試驗測試結果相吻合,驗證了分析的正確性。所提方法為IGBT動態(tài)測試平臺雜散電感提取提供了一種簡便而準確的計算方法。

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圖13IGBT動態(tài)參數(shù)測試平臺Fig.13IGBTdynamictestplatform

大。但是，如果考慮到二極管的正向恢復特性(ud=30V)，同時在計算過程中還忽略了這個電壓值的存在，那么計算結果將會小于雜散電感的計算值。綜上分析得知，若能夠準確測量IGBT開關瞬態(tài)過程中IGBT器件和FWD芯片的電壓、電流波形，那么不論是利用開通波形還是關斷波形，計算結果都是準....

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