在高速發(fā)展的系統(tǒng)級(jí)的封裝技術(shù)中,通過(guò)在半導(dǎo)體介質(zhì)基片上實(shí)現(xiàn)電阻、電感、電容等得到的薄膜技術(shù)集成無(wú)源器件(Thin Film Integrated Passive Device)的方法作為潛力無(wú)限的新技術(shù)被廣泛的關(guān)注。本論文所設(shè)計(jì)的基于薄膜集成技術(shù)的無(wú)源器件——定向耦合器具有面積小和寬帶寬的特點(diǎn),可以大大地提高整個(gè)射頻電路的性能。論文首先通過(guò)分析在砷化鎵介質(zhì)基片上的平面螺旋結(jié)構(gòu)電感和高密度的平板電容進(jìn)行建模仿真,得到最佳性能的電容和電感模型。利用這些模型設(shè)計(jì)了一款單型集總參數(shù)分支線定向耦合器,實(shí)現(xiàn)了小型化(1.0mm*0.6mm),并采用級(jí)聯(lián)型等效電路代替單型等效電路,實(shí)現(xiàn)了集總參數(shù)對(duì)分布參數(shù)等效的高度一致性,并有一定的增加帶寬的作用。接著,采用增加分支線數(shù)量實(shí)現(xiàn)定向耦合器的寬帶化,設(shè)計(jì)了四分支線集總參數(shù)定向耦合器,帶寬達(dá)到30%。最后,論文還對(duì)具有高通濾波特性的定向耦合器的設(shè)計(jì)進(jìn)行了分析和探討。本文采用集總元件進(jìn)行定向耦合器的小型化,采用增加分支線的數(shù)目實(shí)現(xiàn)定向耦合器寬帶化。通過(guò)薄膜集成技術(shù)和集總參數(shù)元件結(jié)合性很好的優(yōu)勢(shì),成功解決了增加分支線帶來(lái)的模型體積的激增。本文設(shè)計(jì)的定向耦合器通...

【文章頁(yè)數(shù)】：70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖2.1薄膜集成技術(shù)的砷化鎵基無(wú)源器件的設(shè)計(jì)工藝基于砷化鎵的無(wú)源集成器件工藝結(jié)構(gòu)如圖2.1所示，金屬層M1、M2、M3厚度分別為

行提取和分析，達(dá)到進(jìn)行準(zhǔn)確的無(wú)源器件建模。電感研究與設(shè)計(jì)發(fā)展的系統(tǒng)級(jí)集成電路中，無(wú)源器件和有源器件的性能都對(duì)都對(duì)整個(gè)鍵性的作用，我們力求在一種介質(zhì)上完成整個(gè)集成電路的設(shè)計(jì)。所以模、仿真成為了基于薄膜集成技術(shù)下系統(tǒng)集成電路的一個(gè)重要組成部Ansoft公司的三維電磁仿真軟件HF....

圖2.2（a）平面電感等效電路模型圖（b）平面電感的實(shí)際意義圖

M1直接相連。2.1.1集總電感模型結(jié)構(gòu)與參數(shù)提取在高速發(fā)展的無(wú)線通信和集成電路系統(tǒng)中，射頻集成電路的性能與其采用的螺旋電感的性能有著緊密的聯(lián)系。因此，設(shè)計(jì)出高性能的平面螺旋電感至關(guān)重要，本章節(jié)將對(duì)電感的感值、Q值和自諧振頻率進(jìn)行相關(guān)的研究。電感設(shè)計(jì)是射頻集成電路中的重要部....

圖2.3平面電感

示的集總參數(shù)等效電路是不行的，因此需要給出相應(yīng)的電感等效電路。電感的等效電路一般有型和T型兩種，因?yàn)橄啾扔赥型模型而言，型模型具有相對(duì)簡(jiǎn)單的等效電路。所以型等效電路模型常被使用來(lái)進(jìn)行等效電路的分析，其參數(shù)提取的較為容易，圖2.3所示的就是型等效電路的模型。其中的....

圖2.4螺旋電感的平面結(jié)構(gòu)和三維結(jié)構(gòu)

南京郵電大學(xué)專(zhuān)業(yè)學(xué)位碩士研究生學(xué)位論文第二章基于薄膜工藝的無(wú)源器件的設(shè)計(jì)

本文編號(hào)：3969371