針對Trench gate/Field-stop IGBT結(jié)構(gòu)特有的關(guān)斷過程中集電極電流下降率不可控問題,引入了載流子抽取模型來模擬器件關(guān)斷過程中的集電極電流下降階段器件內(nèi)部載流子的動態(tài)行為特性,并以此為基礎(chǔ)分析了驅(qū)動器為適應(yīng)Trench gate/Field-Stop IGBT結(jié)構(gòu)這種關(guān)斷特性而引入的有源箝位功能的作用機理,驗證了載流子抽取模型在器件級與電路級交互作用分析中的實用性,為后續(xù)實現(xiàn)器件與電路的最佳匹配奠定了基礎(chǔ)。

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

圖1PTIGBT通態(tài)時的電流分布和n--基區(qū)中載流子的分布

所維持的動態(tài)平衡�？紤]感性負(fù)載下IGBT模塊的關(guān)斷過程，關(guān)斷初期隨著vge的下降，In_mos減小，同時dQn_mos_in也減少；但對于模塊集電極c的一側(cè)，由于感性負(fù)載的箝位作用，相應(yīng)的In_c、Ip_c、dQn_back_out和dQp_emitter_in均保持不變。因此I....

圖2感性負(fù)載關(guān)斷狀態(tài)下PTIGBT模塊

區(qū)中存儲載流子的抽齲具體的載流子抽取過程如圖1PTIGBT通態(tài)時的電流分布和n--基區(qū)中載流子的分布Fig.1Currentdistributionandcarrierdistributioninthen--baseregionduringtheon-stateofPTIGBTs....

圖3在感性負(fù)載關(guān)斷過程中PTIGBT的IpcIpcollected_onIpamIpSCRIpex（b）電流分布

離子體邊沿的電子電荷dQn_ex被抽向集電極c一端，與減少的dQn_mos_in一起承擔(dān)n--基區(qū)電子電荷的反向注入dQn_back_out；而等離子體邊沿的空穴電荷dQp_ex被抽向發(fā)射極e一端，形成空穴電流Ip_ex來彌補MOS溝道中電子電流In_mos的減小，以維持總電流的....

圖4通態(tài)時不同IGBT結(jié)構(gòu)基區(qū)中的載流子分布

本文編號：3955707