發(fā)布時間：2024-04-14 22:34

　　由組成相同的材料構(gòu)建具有清晰邊界的平面內(nèi)p-n異質(zhì)結(jié)是二維晶體管研究面臨的主要挑戰(zhàn)之一,在下一代集成電路和光電器件領(lǐng)域具有重要的潛在應(yīng)用.因此有必要開發(fā)一種可實現(xiàn)p-n界面的簡便、可控的操作方法.硫化鉬(MoS₂)作為一種具有原子層厚度的n型半導(dǎo)體材料已經(jīng)在電子學(xué)和光電子學(xué)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景.在本研究中,我們通過KI/I₂溶液化學(xué)氧化誘導(dǎo)方法實現(xiàn)了從n型MoS2^到p型MoO₃的原位轉(zhuǎn)化,進(jìn)而形成了橫向面內(nèi)p-n異質(zhì)結(jié).MoS₂/MoO₃ p-n異質(zhì)結(jié)顯示出高效的光響應(yīng)和整流特征,0 V、～3.6 mA W^-1條件下最大外部量子產(chǎn)率達(dá)到～650%,同時光開關(guān)比達(dá)到～10².構(gòu)筑的p-n異質(zhì)結(jié)的高性能也被光電流面掃描所證實.由于器件在低源漏電壓(V_DS)和柵壓(V_G)條件下具有高的光響應(yīng)性能,MoS₂/MoO₃ p-n二極管...

【文章頁數(shù)】：9 頁

【文章目錄】：
INTRODUCTION
METHODS
    Synthesis of MoS2films
    Construction of p-n diode by KI/I2solution
    Electrical and optoelectrical measurements
    Characterization
RESULTS AND DISCUSSION
CONCLUSIONS



本文編號：3955330