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多孔薄膜半導(dǎo)體氣敏材料及氣敏傳感器的制備與研究

發(fā)布時(shí)間:2024-04-14 20:35
  伴隨著物聯(lián)網(wǎng)和便攜智能設(shè)備的發(fā)展,現(xiàn)今對(duì)于氣敏傳感器的要求也越來越高,不僅需要有良好的氣敏特性,對(duì)金屬氧化物氣敏材料通過調(diào)制結(jié)構(gòu)或者復(fù)合材料進(jìn)行改進(jìn),在制備工藝和尺寸方面也需要與集成電路工藝相兼容,進(jìn)一步做到標(biāo)準(zhǔn)化、微型化。本文首先分析了薄膜氣敏傳感器微加熱板的需求,并根據(jù)需求設(shè)計(jì)了采用MEMS工藝制備的微加熱板。通過有限元分析軟件參數(shù)化建模并仿真了該加熱板的溫度分布,并根據(jù)對(duì)不同加熱電極線寬和線間距的仿真結(jié)果選擇了合適的參數(shù)。隨后進(jìn)行微加熱板的制備,并測(cè)試了仿真與實(shí)際使用溫度的異同。隨后,本文基于微加熱板,使用聚苯乙烯小球作為磁控濺射的掩模,制備出了具有多孔表面的二氧化錫薄膜氣敏傳感器,并退火。之后通過XRD,SEM與AFM表征其表面形貌。在鍵合引出之后,針對(duì)采用不同直徑的聚苯乙烯小球、采用不同的刻蝕時(shí)間、采用不同的濺射厚度和是否進(jìn)行底層二氧化錫濺射四種不同工藝條件,通過分別測(cè)試樣品對(duì)100ppm濃度的乙醇?xì)怏w的氣敏響應(yīng),顯示,對(duì)于采用1μm直徑小球,并對(duì)其進(jìn)行450s的氧等離子體刻蝕,且先在叉指電極區(qū)域沉積一層二氧化錫,使孔洞內(nèi)部也有氣敏材料的100nm厚多孔二氧化錫薄膜樣品氣敏特...

【文章頁(yè)數(shù)】:76 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

圖1.1氣敏傳感器的分類Fig1.1Classificationofgassensors半導(dǎo)體式氣敏傳感器作為最主流的氣敏傳感器,根據(jù)工作原理可以大致分為

圖1.1氣敏傳感器的分類Fig1.1Classificationofgassensors半導(dǎo)體式氣敏傳感器作為最主流的氣敏傳感器,根據(jù)工作原理可以大致分為

圖1.1氣敏傳感器的分類Fig1.1Classificationofgassensors半導(dǎo)體式氣敏傳感器作為最主流的氣敏傳感器,根據(jù)工作原理可以大致分為電阻型和非電阻型,其中,非電阻型主要為表面控制器件,包括MOS場(chǎng)效應(yīng)管型、電容型和二極管型等,電阻型還分為表....


圖1.2金屬氧化物氣敏材料近研究趨勢(shì)

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圖1.2金屬氧化物氣敏材料近研究趨勢(shì)Fig1.2Recentresearchtrendsinmetaloxidegassensingmaterials在1維結(jié)構(gòu),即納米線結(jié)構(gòu)方面,A.Katoch等人使用靜電紡絲法制備的SnO2-ZnO復(fù)合納米纖....


圖1.3四方金紅石2晶胞結(jié)構(gòu)圖

圖1.3四方金紅石2晶胞結(jié)構(gòu)圖

殊結(jié)構(gòu)[46-50],通過殼核結(jié)構(gòu),雙層/多層結(jié)構(gòu)或者納米棒等,能形成更高積和造成更多的缺陷位,從而提升性能。2二氧化錫的基本性質(zhì)二氧化錫作為最常見的直接帶隙N型半導(dǎo)體金屬氧化物,禁帶寬V[51],為寬禁帶氧化物[52],是自然界中錫石礦的主要成分,呈現(xiàn)出淡黃色末,一般不溶....


圖1.4表面空間電荷理論示意圖

圖1.4表面空間電荷理論示意圖

圖1.4表面空間電荷理論示意圖[64]Fig1.4Schematicdiagramofsurfacespacechargetheory而在晶粒和晶界模型[69,70]中,主要考慮的是電子在多晶金屬氧化物中的粒與晶粒之間形成界面時(shí),會(huì)產(chǎn)生界面勢(shì)壘。其中部為均勻分....



本文編號(hào):3955187

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