發(fā)布時(shí)間：2024-04-09 05:09

　　二氧化釩(VO₂)在相變溫度(68℃)附近會(huì)發(fā)生單斜結(jié)構(gòu)(M)到金紅石結(jié)構(gòu)(R)的可逆轉(zhuǎn)變,并伴隨著電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)的突變,因此在光電開(kāi)關(guān)、智能窗戶、微測(cè)輻射熱計(jì)及傳感器領(lǐng)域有很大的商業(yè)價(jià)值。在應(yīng)用到不同的領(lǐng)域中,VO₂薄膜需要滿足不同的條件。應(yīng)用到智能窗領(lǐng)域,VO₂需要滿足:較低的相變溫度,較窄的熱致回線寬度,高的可見(jiàn)光透過(guò)率及其高的太陽(yáng)能調(diào)制效率。應(yīng)用到微測(cè)輻射熱計(jì)領(lǐng)域,VO₂需要滿足:高的電阻溫度系數(shù),高的響應(yīng)率。通常VO₂(M)制備溫度高(≧500℃),而亞穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)的VO₂(B)制備溫度較低(≦450℃)。因此本文主要以亞穩(wěn)態(tài)的B相VO₂為研究對(duì)象,采用射頻磁控濺射的方法,在硅片襯底和石英襯底上制備了一系列高質(zhì)量的VO₂(B)薄膜,并通過(guò)加入不同性質(zhì)的緩沖層,實(shí)現(xiàn)了VO₂特定結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變,并提高了薄膜的結(jié)晶度與純度,優(yōu)化了VO₂薄膜的光電性能。通過(guò)掃描電鏡(FESE...

【文章頁(yè)數(shù)】：73 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1具有金屬-絕緣體特性的金屬氧化物材料的相變溫度圖

第1章緒論1第1章緒論1.1引言新型的功能材料可以大面積的用于器件當(dāng)中，進(jìn)而可以推動(dòng)微電子與光電子的發(fā)展。自從1959年F.JMorin在實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)了金屬氧化物具有金屬-絕緣體（metal-insulatortransition,MIT）效應(yīng)[1]。目前發(fā)現(xiàn)能夠顯示這種金屬-絕緣....

圖1-3VO2不同相的晶體結(jié)構(gòu)和電子能帶結(jié)構(gòu)(a)：金屬態(tài)R相；(b)：絕緣體態(tài)M相

第1章緒論3道和d|軌道之間發(fā)生分離，那么就會(huì)引起π*軌道到達(dá)費(fèi)米能級(jí)的軌道上方，進(jìn)而促使之前重疊部分整個(gè)進(jìn)入到d|軌道。與此同時(shí)，d|軌道會(huì)繼續(xù)分離出來(lái)兩個(gè)軌道，而剩余的下半部分的軌道會(huì)位于費(fèi)米能級(jí)的下方，即低于費(fèi)米能級(jí)，因此在π*軌道和d|軌道之間會(huì)形成一個(gè)大小為0.67ev....

圖2-1磁控濺射工作原理圖

二氧化釩復(fù)合膜的濺射生長(zhǎng)與光電性能研究14易得，操作簡(jiǎn)單，可以在工業(yè)上大量生產(chǎn)。2.2.4磁控濺射法磁控濺射法：是一種傳統(tǒng)的物理氣相沉積的方法，其基本原理主要是：為了達(dá)到一定的真空環(huán)境，采用機(jī)械泵，分子泵與G閥門(mén)聯(lián)合對(duì)真空室進(jìn)行抽氣，使濺射腔體處于真空化的環(huán)境。在滿足實(shí)驗(yàn)條件的情....

圖2-2磁控濺射沉積系統(tǒng)

第2章薄膜的制備方法及表征152.3磁控濺射法制備薄膜2.3.1實(shí)驗(yàn)設(shè)備在本論文的實(shí)驗(yàn)中所使用的設(shè)備為JGP-450A型磁控濺射沉積系統(tǒng)，其實(shí)物圖如圖2-2所示。此系統(tǒng)主要包括一個(gè)樣品加熱臺(tái)、三個(gè)濺射靶頭、一個(gè)純氣體工作氣路與一個(gè)混合氣體工作氣路、真空測(cè)量系統(tǒng)、安裝樣品臺(tái)、氣體流....

本文編號(hào)：3949367