SOI基柵控橫向PIN藍紫光探測器的理論建模與工藝研究
發(fā)布時間:2024-03-31 16:45
根據(jù)瑞利散射,大氣對光波的散射強度與波長的四次方成反比,對于可見光中的長波光與近紅外光而言,其偏振性較差。藍紫光波段(380~520 nm)的波長較短,偏振性較強,更適合光電探測器檢測。目前,藍紫光探測器通常為單獨場效應型或單獨雙極型二極管,其各自的優(yōu)缺點,量子效率與頻率特性二者相互制約,不利于集成。本文基于SOI基透明電極柵控橫向PIN光電二極管(SOI LPIN PD-GTE)進行了以下主要幾個方面的研究。1.基于泊松方程,建立了器件柵極電壓的解析模型,通過MATLAB對解析模型進行了數(shù)值計算,并與仿真結果相對比,驗證模型的有效性。得出溝道表面弱反型的柵極電壓為0.2145V,溝道表面強反型的柵壓為0.5105V。2.基于電流密度方程和電流連續(xù)性方程,構建了器件的暗電流解析模型以及在入射光功率為1mW/cm2時光電流的解析模型,利用MATLAB對光電流與暗電流的解析模型進行數(shù)值計算,通過仿真結果與計算結果的對比,光電流與暗電流數(shù)值計算與模擬仿真結果變化趨勢一致,擬合度較好,驗證了解析模型的有效性。并對光暗電流比進行研究,得出信噪比(SNR)最優(yōu)化時的柵壓值為1.7V。3.利用SIL...
【文章頁數(shù)】:67 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
本文編號:3944220
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圖5.2柵極電計算結果??
?碩士學位論文???3.4.1柵極電壓??在常溫下(7=300/0,由得費米勢^〇.29F。當表面弱反型,即表面??勢等于一倍費米勢,%/^/=〇.29V時,由式3.12計算得,Fm=0.2145V。當表面強反型,??即勢等于兩倍費米勢,^s/^2^;=0.58V時,由式3.12....
圖3.3柵極電壓Ka仿真結果??
當Fg;H).2145V時,表面弱反型,電子濃度與空穴濃度相等,n=p=n,;當K<^=0.511V??時,表面強反型,電子濃度與摻雜濃度相等,《=從<。當表面弱反型和強反型時計算結果??如圖3.2所示。??10、??%?(^)?1〇'sj??ny?(c>n)??1??Py?加、....
圖3.4暗電流仿真結果
&^/=〇.29V時,Fm=0.227V。當表面強反型,即勢等于兩倍費米勢,%/=2w=0.58V時,??化尤=0.545V。??由圖3.2與圖3.3可知,計算結果與仿真結果擬合很好,有效的驗證了柵極電壓解??析模型的正確性。??3.4.2暗電流??當沒有光照時,溝道內由于載流子....
圖3.6光電流仿真結果
a=105/cm,單位面積的入射光功率為P,?=lm?7ew2。采用SILVACO軟件的ATLAS模塊,??對器件進行模擬仿真,得出器件在柵壓從0增加到2V時的光電流變化曲線,結果如圖??3.6所示。根據(jù)式(3.65),利用MATLAB對模型進行計算,計算結果如圖3.7所示。??....
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