隨著集成電路工藝技術(shù)的迅速發(fā)展,MOSFET器件的特征尺寸逐漸縮小且越來越接近物理極限,此時短溝道效應(yīng)的出現(xiàn)對傳統(tǒng)MOSFET器件的性能造成了嚴重影響。通過理論和實驗研究發(fā)現(xiàn),利用尺寸縮小使得器件性能提升的方法變得越來越困難,并同時面臨嚴重的功耗問題。為解決這些問題,一種基于帶帶隧穿(BTBT)機理的場效應(yīng)器件隧穿場效應(yīng)晶體管(TFET)被提出。TFET不僅可以有效抑制短溝道效應(yīng),還能突破傳統(tǒng)MOSFET器件室溫下亞閾值擺幅(SS)不能低于60 mV/decade的限制,從而可以大幅度降低器件的功耗。因此TFET被認為是最具前景的低功耗器件之一。與MOSFET相比,TFET器件仍然面臨開態(tài)電流較低的問題,為解決這一困難,研究人員主要從器件結(jié)構(gòu)或者材料方面來進行改進,材料方面采用窄禁帶材料,如III-V化合物族和具有直接隧道效應(yīng)的鍺錫(Germanium-Tin,GeSn)材料;結(jié)構(gòu)方面采用多柵或者環(huán)型柵結(jié)構(gòu)來增強柵極對溝道的控制能力。這些方法可以在一定程度上提升器件性能,但都存在著一些相應(yīng)的問題。本文提出一種U型柵TFET結(jié)構(gòu),即在溝道層和漏區(qū)之間插入輕摻雜的間隔層,這可以有效地抑制關(guān)...

【文章頁數(shù)】：75 頁

【學(xué)位級別】：碩士

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圖2.3SentaurusWorkbench圖形界面

圖2.3SentaurusWorkbench圖形界面ntaurusTCAD軟件進行器件仿真工作主要分為三個步驟。繪制出所設(shè)計的器件結(jié)構(gòu)或者用腳本語言進行描述生成器維和三維器件的編輯器及三維工藝仿真器，可生成或編輯

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