為了提高2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半導體激光器的最大輸出功率,減小遠場垂直發(fā)散角并實現(xiàn)單模穩(wěn)定輸出,在非對稱波導結(jié)構(gòu)的基礎上設計了具有雙波導結(jié)構(gòu)的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半導體激光器.同時,利用相關的物理模型及SimLastip程序語言構(gòu)建了InGaAsSb/AlGaAsSb Macro文件,利用SimLastip軟件對具有不同結(jié)構(gòu)的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半導體激光器進行了數(shù)值模擬分析.研究結(jié)果表明,雙波導結(jié)構(gòu)可以將半導體激光器的有源區(qū)限制因子由0.019 2減小至0.011 3,器件的最大輸出功率提高了1.7倍,遠場垂直發(fā)散角由57°減小到48°,器件性能得到了改善.

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【文章目錄】：
0 引言
1 理論分析
2 雙波導結(jié)構(gòu)設計
3 結(jié)果與討論
4 結(jié)論



本文編號：3913093