文章研究了短周期InAs/GaSb(SLs)Ⅱ型超晶格的紅外光電特性。研究發(fā)現(xiàn)將InAs/GaSb超晶格各層生長(zhǎng)寬度調(diào)節(jié)在20/25?左右,可以實(shí)現(xiàn)中紅外波段的禁帶寬度。我們發(fā)展了修正的八能帶K.P模型計(jì)算了該超晶格系統(tǒng)的電子子帶結(jié)構(gòu),模型充分考慮了生長(zhǎng)層之間的界面效應(yīng)。模型只需要微觀界面效應(yīng)這一個(gè)可調(diào)參數(shù),就可以得到與實(shí)驗(yàn)結(jié)果符合的非常好的理論結(jié)果。研究發(fā)現(xiàn)將GaSb的厚度固定為24?,InAs的厚度從23?降到17?時(shí),SLs的帶隙寬度可以從275 meV調(diào)節(jié)到346 meV;或者InAs的厚度為21?,GaSb的厚度從18?增加到27?時(shí),SLs的帶隙寬度可以從254meV調(diào)至313meV。該理論研究證明短周期InAs/GaSbⅡ型SLs可以應(yīng)用于帶寬為3⁵μm的中紅外光電探測(cè)。

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

圖1.InAs/GaSbII型SL沿著z軸生長(zhǎng)的典型的生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)

圖3.GaSb層厚度不變時(shí)不同的InAs層厚度在理論上的光吸收譜[圖a],InAs層厚度不變時(shí)不同GaSb的層厚度在理論上的光吸收譜[圖b]

快，導(dǎo)致了帶隙的增加。這些現(xiàn)象在緊束縛能帶形成中很容易理解。我們的數(shù)值計(jì)算結(jié)果表明，采用標(biāo)準(zhǔn)模型對(duì)InAs層厚度研究時(shí)，帶隙升高了大約60–80meV，在對(duì)GaSb層厚度的研究時(shí)，帶隙升高了大約50-100meV。這意味著界面對(duì)短周期InAs/GaSbⅡ型超晶格的帶隙有很大的影響....

圖1.InAs/GaSbII型SL沿著z軸生長(zhǎng)的典型的生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)

圖3.GaSb層厚度不變時(shí)不同的InAs層厚度在理論上的光吸收譜[圖a],InAs層厚度不變時(shí)不同GaSb的層厚度在理論上的光吸收譜[圖b]

快，導(dǎo)致了帶隙的增加。這些現(xiàn)象在緊束縛能帶形成中很容易理解。我們的數(shù)值計(jì)算結(jié)果表明，采用標(biāo)準(zhǔn)模型對(duì)InAs層厚度研究時(shí)，帶隙升高了大約60–80meV，在對(duì)GaSb層厚度的研究時(shí)，帶隙升高了大約50-100meV。這意味著界面對(duì)短周期InAs/GaSbⅡ型超晶格的帶隙有很大的影響....

本文編號(hào)：3912354