隨著智能手機、電視和可穿戴設備的發(fā)展,顯示技術發(fā)揮著越來越重要的作用。薄膜晶體管(Thin-Film Transistor,TFT)是顯示技術核心器件。傳統(tǒng)的薄膜晶體管已經無法滿足現代顯示技術的要求,銦鎵鋅氧薄膜晶體管(IGZO-TFT)具有高遷移率、透光率好等優(yōu)異性能,已經成為國內以維信諾為首的面板公司大力發(fā)展的技術,并且對薄膜晶體管的質量、性能都提出了更高的要求。利用IGZO薄膜作為溝道層制備出的薄膜晶體管具有特殊的優(yōu)點:透明性好、高載流子遷移率、在常溫下即可制備,由此開啟了新一代顯示技術的研究浪潮。本文主要研究了不同氧氬比對IGZO薄膜透光率和電學性能的影響,退火氣氛和溫度對IGZO-TFT性能的影響,界面修飾對IGZO-TFT性能的影響,為IGZO-TFT工業(yè)化應用打下了基礎。通過研究IGZO薄膜的透光率,發(fā)現在不同氧氬比下制備出的IGZO薄膜,其透光率均在83%以上,這是由于在室溫下利用磁控濺射制備出的IGZO薄膜是非晶狀態(tài),能夠減少入射光的散射,并且因為IGZO薄膜表面光滑,對散射影響很小,所以在可見光范圍內,IGZO薄膜具有很好的透光效果。IGZO薄膜的透光率和光學禁帶寬...

【文章頁數】：77 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1幾種常見薄膜晶體管結構

圖1.1幾種常見薄膜晶體管結構1.2.3薄膜晶體管主要性能參數薄膜晶體管通常根據其輸出特性曲線和轉移特性曲線進行判斷[13]。如果想知道若干TFT器件特性的好壞，通常的做法就是比較轉移特性曲線。另外還有一種方法就是通過比較薄膜晶體管性能的參數來描述不同TFT器件的操....

圖1.2IGZOTFT結構

圖1.2IGZOTFT結構圖1.3透明薄膜晶體管實物07年，Hosono[38]團隊通過對Dirichlet分布分析并得到了IGZO的結構們又從能帶理論探討了非晶銦鎵鋅氧載流子遷移的機理。得出這樣的結在非晶硅中摻雜氫而言，即使在非晶銦鎵鋅氧注入少量電子，銦....

圖1.3透明薄膜晶體管實物

圖1.2IGZOTFT結構圖1.3透明薄膜晶體管實物07年，Hosono[38]團隊通過對Dirichlet分布分析并得到了IGZO的結構們又從能帶理論探討了非晶銦鎵鋅氧載流子遷移的機理。得出這樣的結在非晶硅中摻雜氫而言，即使在非晶銦鎵鋅氧注入少量電子，銦....

圖1.4載流子傳輸路徑示意圖

1緒論空位，以控制薄膜中的電子濃度，抑制IGZO薄膜晶ZO薄膜形成四面體結構，從而保持整個結構有很薄膜的導電機理一種N型半導體材料，要研究IGZO薄膜的導電機理部電子輸運性能。非晶硅材料的導電通道是由sp3具有方向性，sp3雜化導致在載流子輸運的時候，會此，對....

本文編號：3911369