上個(gè)世紀(jì)80年代以來,SOI(Silicon on Insulator)技術(shù)得到了迅猛的發(fā)展。由于具有速度高,集成密度高,寄生效應(yīng)小,功耗低,抗輻照等優(yōu)點(diǎn),在功率集成電路PIC(Power Integrated Circuit)領(lǐng)域引進(jìn)漸漸成為主流。高壓互連線(HVI)把信號(hào)從芯片的高壓端向低壓端傳遞,金屬互連線上所帶高電勢(shì)嚴(yán)重影響其下方器件的表面電場(chǎng)分布,使表面電場(chǎng)在源端聚集,導(dǎo)致局部出現(xiàn)極高的表面電場(chǎng)峰值,使得雪崩擊穿過早發(fā)生,嚴(yán)重影響器件的擊穿電壓,并大大影響了器件的可靠性。為此,本文圍繞SOI橫向功率器件及其高壓互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究,主要工作包括:1.研究了高壓互連效應(yīng)對(duì)橫向功率器件的影響機(jī)制。通過三維仿真軟件DAVINCI研究了高壓互連效應(yīng)對(duì)橫向功率器件的影響,定性分析了半導(dǎo)體摻雜濃度、場(chǎng)板厚度、SOI厚度、埋氧層厚度、高壓互連線寬度等因素對(duì)器件擊穿特性的影響。并對(duì)器件參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。2.建立了三維RESURF高壓互連結(jié)構(gòu)新模型�；谌SRESURF結(jié)構(gòu)精確擊穿特性模型,建立三維RESURF高壓互連結(jié)構(gòu)的電荷平衡公式,得到理想的擊穿特性模型,并探究其物理本質(zhì)。而后在該模型的基礎(chǔ)上...

【文章頁(yè)數(shù)】：79 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1體硅和SOI結(jié)構(gòu)比較

OI器件使用絕緣層進(jìn)行介質(zhì)隔離，而非直接采用PN結(jié)進(jìn)行隔離結(jié)的寄生電容，從而提高了運(yùn)行速度，并降低功耗。與體硅材料相的運(yùn)行速度可提高三分之一。OI器件使用絕緣層進(jìn)行介質(zhì)隔離，降低了漏電，其漏電流比體硅量級(jí)，從而減少了功耗。與體硅材料相比，SOI器件功耗可減小OI技術(shù)有....

圖1-2場(chǎng)板結(jié)構(gòu)示意圖(a)常規(guī)場(chǎng)板(b)斜場(chǎng)板

(a)(b)圖1-2場(chǎng)板結(jié)構(gòu)示意圖(a)常規(guī)場(chǎng)板(b)斜場(chǎng)板2.橫向變摻雜技術(shù)橫向變摻雜(VariationofLateralDoping，簡(jiǎn)稱VLD)技術(shù)最早可以追溯到上個(gè)世紀(jì)八十代[30]。當(dāng)時(shí)，Stengl等人通過理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)證實(shí)，在體硅結(jié)構(gòu)中采用從源到....

圖1-3變摻雜結(jié)構(gòu)(a)橫向線性變摻雜(b)階梯摻雜

(a)(b)圖1-2場(chǎng)板結(jié)構(gòu)示意圖(a)常規(guī)場(chǎng)板(b)斜場(chǎng)板2.橫向變摻雜技術(shù)橫向變摻雜(VariationofLateralDoping，簡(jiǎn)稱VLD)技術(shù)最早可以追溯到上個(gè)世紀(jì)八十代[30]。當(dāng)時(shí)，Stengl等人通過理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)證實(shí)，在體硅結(jié)構(gòu)中采用從源到....

圖1-4RESURF結(jié)構(gòu)示意圖

位碩士研究生學(xué)位論文術(shù)(REducedSURfaceField，簡(jiǎn)稱RESURF技術(shù))是年發(fā)明的[34]，這種技術(shù)是通過在器件襯底上外延一層外們?cè)?~8μm的外延層上制造出了擊穿電壓高達(dá)1200V看，RESURF技術(shù)可以看成是通過縱向電場(chǎng)的輔助耗盡這樣，漂移區(qū)全部....

本文編號(hào)：3906393