近年來,隨著以IGBT為代表的全控型功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)快速發(fā)展,柔性直流輸電技術(shù)日趨成熟。當(dāng)前直流輸電系統(tǒng)不斷朝著多端系統(tǒng)的方向發(fā)展,高壓直流斷路器被視為整個柔性直流輸電系統(tǒng)的核心組成部分。壓接式IGBT因其控制功率低、電流容量大和開關(guān)速度高的特點,被廣泛應(yīng)用于高壓直流斷路器中。通過將多個IGBT芯片并聯(lián)以及多個二極管芯片反向并聯(lián)可以提高壓接式IGBT器件的通流能力,但在器件的開通和關(guān)斷過程中,內(nèi)部并聯(lián)芯片因所在回路的電氣參數(shù)差異產(chǎn)生的最大電流過沖對器件的可靠性影響很大。因此為了實現(xiàn)壓接式IGBT器件的可靠性研究,需要測量器件在開通和關(guān)斷過程中內(nèi)部各個芯片的電流分布情況。本文首先介紹了當(dāng)前應(yīng)用于電力電子器件的電流測量技術(shù),分析了每一種測量技術(shù)的優(yōu)缺點及其應(yīng)用的方向,并針對本文所研究的Westcode公司4.5kV/1.2kA壓接式IGBT器件,重點對Rogowski線圈傳感器進行了詳細的論述。然后,詳細介紹了傳統(tǒng)Rogowski線圈傳感器的工作機理。在此基礎(chǔ)上,根據(jù)所研究的壓接式IGBT器件,本文設(shè)計了一種小型PCB Rogowski線圈傳感器,并結(jié)合線圈的阻抗特性,對傳統(tǒng)的復(fù)合式積...

【文章頁數(shù)】：94 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－４霍爾電流傳感器兩種應(yīng)用模式??

圖１－４霍爾電流傳感器兩種應(yīng)用模式??Ｆｉｇ．?１?－４?Ｔｗｏ?ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ?ｍｏｄｅｓ?ｏｆ?Ｈａｌｌ?ｃｕｒｒｅｎｔ?ｓｅｎｓｏｒ??開環(huán)變換器是霍爾傳感器用于電流測量最簡單的設(shè)計，原理圖如圖１－４?（ａ）所??示。導(dǎo)體穿過一個鐵心，被測電流／ｉ在鐵心中產(chǎn)生磁場。....

圖１－５壓接式ＩＧＢＴ內(nèi)部結(jié)構(gòu)與芯片布局??

１．３．１本文的研究對象??本文主要針對英國Ｗｅｓｔｃｏｄｅ公司４．５ｋＶ／１．２ｋＡ的壓接式ＩＧＢＴ器件??（Ｔ１２００ＥＢ４５Ｅ），其基本內(nèi)部結(jié)構(gòu)和芯片的布局情況如圖丨－５所示，（ａ）為器件的??內(nèi)部結(jié)構(gòu)，（ｂ）為芯片布局與管殼底座尺寸，其中１￣１１為ＩＧＢＴ芯片，其余５個?....

圖２－１?Ｒｏｇｏｗｓｋｉ線圈傳感器??Ｆｉ．２－１?Ｒｏｏｗｓｋｉ?Ｃｏｉｌ?Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ??

圖２－１?Ｒｏｇｏｗｓｋｉ線圈傳感器??Ｆｉｇ．２－１?Ｒｏｇｏｗｓｋｉ?Ｃｏｉｌ?Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ??Ｒｏｇｏｗｓｋｉ線圈的結(jié)構(gòu)如圖２－１所示。將導(dǎo)線均勻纏繞在恒定橫截面積Ａ（ｗ２）??的非磁性材料制成的骨架上并形成閉環(huán)，由電磁感應(yīng)定律和安培環(huán)路定律可得，線??圈中產(chǎn)生的感....

圖２－２?Ｒｏｇｏｗｓｋｉ線圈等效模型??

Ｆｉｇ．２－２?Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ?ｃｉｒｃｕｉｔ?ｏｆ?Ｒｏｇｏｗｓｋｉ?ｃｏｉｌ??英國帝國理工學(xué)院Ｃｏｏｐｅｒ等學(xué)者在文獻［１８］中指出，線圈在高頻狀態(tài)下，線??圈的帶寬受終端電阻沁的影響非常顯著。如圖２－２所示，當(dāng)被測電流／在線圈中心??對稱的位置，且外部無其他干擾電流....

本文編號：3903289