發(fā)布時(shí)間：2024-02-19 20:42

　　近年來(lái),隨著以IGBT為代表的全控型功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)快速發(fā)展,柔性直流輸電技術(shù)日趨成熟。當(dāng)前直流輸電系統(tǒng)不斷朝著多端系統(tǒng)的方向發(fā)展,高壓直流斷路器被視為整個(gè)柔性直流輸電系統(tǒng)的核心組成部分。壓接式IGBT因其控制功率低、電流容量大和開(kāi)關(guān)速度高的特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于高壓直流斷路器中。通過(guò)將多個(gè)IGBT芯片并聯(lián)以及多個(gè)二極管芯片反向并聯(lián)可以提高壓接式IGBT器件的通流能力,但在器件的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中,內(nèi)部并聯(lián)芯片因所在回路的電氣參數(shù)差異產(chǎn)生的最大電流過(guò)沖對(duì)器件的可靠性影響很大。因此為了實(shí)現(xiàn)壓接式IGBT器件的可靠性研究,需要測(cè)量器件在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中內(nèi)部各個(gè)芯片的電流分布情況。本文首先介紹了當(dāng)前應(yīng)用于電力電子器件的電流測(cè)量技術(shù),分析了每一種測(cè)量技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用的方向,并針對(duì)本文所研究的Westcode公司4.5kV/1.2kA壓接式IGBT器件,重點(diǎn)對(duì)Rogowski線(xiàn)圈傳感器進(jìn)行了詳細(xì)的論述。然后,詳細(xì)介紹了傳統(tǒng)Rogowski線(xiàn)圈傳感器的工作機(jī)理。在此基礎(chǔ)上,根據(jù)所研究的壓接式IGBT器件,本文設(shè)計(jì)了一種小型PCB Rogowski線(xiàn)圈傳感器,并結(jié)合線(xiàn)圈的阻抗特性,對(duì)傳統(tǒng)的復(fù)合式積...

【文章頁(yè)數(shù)】：94 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－４霍爾電流傳感器兩種應(yīng)用模式??

圖１－４霍爾電流傳感器兩種應(yīng)用模式??Ｆｉｇ．?１?－４?Ｔｗｏ?ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ?ｍｏｄｅｓ?ｏｆ?Ｈａｌｌ?ｃｕｒｒｅｎｔ?ｓｅｎｓｏｒ??開(kāi)環(huán)變換器是霍爾傳感器用于電流測(cè)量最簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，原理圖如圖１－４?（ａ）所??示。導(dǎo)體穿過(guò)一個(gè)鐵心，被測(cè)電流／ｉ在鐵心中產(chǎn)生磁場(chǎng)。....

圖１－５壓接式ＩＧＢＴ?xún)?nèi)部結(jié)構(gòu)與芯片布局??

１．３．１本文的研究對(duì)象??本文主要針對(duì)英國(guó)Ｗｅｓｔｃｏｄｅ公司４．５ｋＶ／１．２ｋＡ的壓接式ＩＧＢＴ器件??（Ｔ１２００ＥＢ４５Ｅ），其基本內(nèi)部結(jié)構(gòu)和芯片的布局情況如圖丨－５所示，（ａ）為器件的??內(nèi)部結(jié)構(gòu)，（ｂ）為芯片布局與管殼底座尺寸，其中１￣１１為ＩＧＢＴ芯片，其余５個(gè)?....

圖２－１?Ｒｏｇｏｗｓｋｉ線(xiàn)圈傳感器??Ｆｉ．２－１?Ｒｏｏｗｓｋｉ?Ｃｏｉｌ?Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ??

圖２－１?Ｒｏｇｏｗｓｋｉ線(xiàn)圈傳感器??Ｆｉｇ．２－１?Ｒｏｇｏｗｓｋｉ?Ｃｏｉｌ?Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ??Ｒｏｇｏｗｓｋｉ線(xiàn)圈的結(jié)構(gòu)如圖２－１所示。將導(dǎo)線(xiàn)均勻纏繞在恒定橫截面積Ａ（ｗ２）??的非磁性材料制成的骨架上并形成閉環(huán)，由電磁感應(yīng)定律和安培環(huán)路定律可得，線(xiàn)??圈中產(chǎn)生的感....

圖２－２?Ｒｏｇｏｗｓｋｉ線(xiàn)圈等效模型??

Ｆｉｇ．２－２?Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ?ｃｉｒｃｕｉｔ?ｏｆ?Ｒｏｇｏｗｓｋｉ?ｃｏｉｌ??英國(guó)帝國(guó)理工學(xué)院Ｃｏｏｐｅｒ等學(xué)者在文獻(xiàn)［１８］中指出，線(xiàn)圈在高頻狀態(tài)下，線(xiàn)??圈的帶寬受終端電阻沁的影響非常顯著。如圖２－２所示，當(dāng)被測(cè)電流／在線(xiàn)圈中心??對(duì)稱(chēng)的位置，且外部無(wú)其他干擾電流....

本文編號(hào)：3903289