針對(duì)相控陣?yán)走_(dá)T/R組件中應(yīng)用廣泛的GaN脈沖功率放大器,提出一種高壓漏極脈沖調(diào)制電路。該電路包含高集成度的PMOS驅(qū)動(dòng)器和高壓PMOS管SM6103,并包含快速放電通道,該電路的輸入信號(hào)為T(mén)TL信號(hào)、輸出信號(hào)為+28 V脈沖信號(hào)。測(cè)試結(jié)果顯示調(diào)制輸出信號(hào)的上升沿小于40 ns,下降沿小于50 ns,輸出電壓過(guò)沖小于20%,電流驅(qū)動(dòng)能力大于13 A。該脈沖調(diào)制電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、尺寸小,采用裸芯片以及鋁絲鍵合工藝,滿(mǎn)足T/R組件小型化的設(shè)計(jì)要求。

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【文章目錄】：
0 引言
1 功放脈沖調(diào)制電路介紹
    1.1 調(diào)制電路
    1.2 柵極調(diào)制
    1.3 漏極調(diào)制
2 PMOS管漏極調(diào)制電路設(shè)計(jì)
    2.1 原理與器件介紹
    2.2 電路設(shè)計(jì)
3 設(shè)計(jì)結(jié)果與分析
4 結(jié)論



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