石墨烯被發(fā)現(xiàn)于2004年,證實(shí)了二維材料可以在室溫下穩(wěn)定存在,掀起了二維材料的研究熱潮。隨著時(shí)間的推移,許多二維材料相繼被發(fā)現(xiàn),例如:黑磷(b-p)、六方氮化硼(BN)、過(guò)渡金屬硫族化合物(TMDCs:MoS₂、PbS₂、MoSe₂等)和烯類(硅烯、鍺烯)等。二硒化鉑(PtSe₂)作為一種新興過(guò)渡金屬硫族化合物,有著可調(diào)帶隙和高載流子遷移率等二維材料共有的特點(diǎn),通過(guò)調(diào)節(jié)其帶隙可以將探測(cè)器的測(cè)量波段拓寬,實(shí)現(xiàn)從可見(jiàn)光波段到中紅外波段的光電探測(cè);高載流子遷移率可以讓光生電子-空穴對(duì)迅速?gòu)?fù)合,實(shí)現(xiàn)器件的快速響應(yīng)。二硒化鉑的發(fā)現(xiàn)為制備低成本、寬波段和常溫下響應(yīng)迅速的光電探測(cè)器提供了一種新的可能性。本文通過(guò)直接在硅/二氧化硅襯底生長(zhǎng)二硒化鉑材料,來(lái)制備高效二硒化鉑/硅異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器,首先研究二硒化鉑材料的生長(zhǎng)條件和表征,再探究二硒化鉑/硅異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的光電響應(yīng),主要研究?jī)?nèi)容如下:1、二硒化鉑薄膜的制備與表征。先使用電子束蒸鍍?cè)O(shè)備得到的高質(zhì)量的Pt薄膜,再利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)硒化所得到高質(zhì)量Pt薄...

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.2三種晶體結(jié)構(gòu)：2H、3R和1T[14]

1緒論3圖1.1MoS2三維結(jié)構(gòu)示意圖[13]圖1.2三種晶體結(jié)構(gòu)：2H、3R和1T[14]

圖1.3PtSe2材料的晶體結(jié)構(gòu)及三維側(cè)視圖[15]

重慶理工大學(xué)碩士學(xué)位論文41.2.2二硒化鉑概述圖1.3PtSe2材料的晶體結(jié)構(gòu)及三維側(cè)視圖[15]單層2DTMDCs由于其獨(dú)特的物理性質(zhì)，在電子學(xué)、光電子、自旋電子學(xué)、催化等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。2015年，王業(yè)亮、李林飛課題組為分層TMDCs家族增添了一個(gè)新成員，即二硒化鉑....

圖1.4PtSe2材料的八面體型（1T）和三棱柱型（1H）示意圖[16]

1緒論5圖1.4PtSe2材料的八面體型（1T）和三棱柱型（1H）示意圖[16]圖1.5PtSe2材料從1T-PtSe2到1H/1T-PtSe2轉(zhuǎn)變的示意圖[16]1.2.3二硒化鉑的制備方法目前，制備二硒化鉑材料的方法大致可以分為三種[15]：化學(xué)氣相傳輸（CVT）、化學(xué)氣相沉....

圖1.5PtSe2材料從1T-PtSe2到1H/1T-PtSe2轉(zhuǎn)變的示意圖[16]

1緒論5圖1.4PtSe2材料的八面體型（1T）和三棱柱型（1H）示意圖[16]圖1.5PtSe2材料從1T-PtSe2到1H/1T-PtSe2轉(zhuǎn)變的示意圖[16]1.2.3二硒化鉑的制備方法目前，制備二硒化鉑材料的方法大致可以分為三種[15]：化學(xué)氣相傳輸（CVT）、化學(xué)氣相沉....

本文編號(hào)：3901511