硅片鍵合技術(shù)作為一種將表面硅微機(jī)械加工和體硅微機(jī)械加工有機(jī)結(jié)合的工藝,是目前微機(jī)械加工的研究熱點(diǎn)。而電射流打印作為最具潛力的印刷電子器件圖案化工藝之一,也正廣泛應(yīng)用于微納器件的薄膜制備及其他增材制造工藝中。本論文從現(xiàn)有鍵合方法存在的產(chǎn)生應(yīng)力、工藝繁瑣、成本較高等缺陷出發(fā),將傳統(tǒng)的膠粘鍵合法與電射流原理融合為一體,提出了一種基于電射流原理的硅片鍵合方法,并從理論、仿真和實(shí)驗(yàn)方面分別對(duì)該方法進(jìn)行了分析與研究,并對(duì)該方法能達(dá)到的鍵合強(qiáng)度進(jìn)行了測(cè)試,驗(yàn)證了該方法的可行性。本文主要的研究工作與創(chuàng)新之處如下:1.提出一種基于電射流原理的硅片鍵合方法。立足于電射流打印所具有的成型分辨率高、常溫下進(jìn)行、材料適應(yīng)性廣等特點(diǎn),該方法的提出可突破現(xiàn)有硅片鍵合技術(shù)存在的壁壘,為微納器件制備工藝的提高奠定基礎(chǔ)。2.對(duì)電射流現(xiàn)象進(jìn)行理論分析和數(shù)值仿真�；诹黧w動(dòng)力學(xué)和電動(dòng)力學(xué)方程,建立電流體動(dòng)力學(xué)的數(shù)學(xué)模型,并進(jìn)一步建立電壓、流量與射流直徑的數(shù)學(xué)關(guān)系式。通過仿真進(jìn)一步探索電壓、流量和打印高度對(duì)射流直徑的影響,初步揭示了上述三個(gè)參數(shù)對(duì)錐—射流形態(tài)下獲得射流直徑的影響。3.完成鍵合液的電射流打印實(shí)驗(yàn)。對(duì)鍵合液進(jìn)行配置...

【文章頁數(shù)】：96 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1共熔鍵合示意圖

行了相應(yīng)的研究，并提出將表面干凈且平整的兩片玻璃片相互接觸之間可以自發(fā)地進(jìn)行連接。同時(shí)，經(jīng)過他的研究得知，在室溫下玻大約為70mJ/㎡，從而推出導(dǎo)致在室溫下鍵合的主要原因是分子之然而，這種自發(fā)連接的鍵合強(qiáng)度過小，因此并沒有被廣大研究人員導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速，硅片鍵合的研究重新變成了....

圖1.2陽極鍵合結(jié)構(gòu)示意圖

第1章緒論面處形成高強(qiáng)電場(chǎng)，并產(chǎn)生使鍵合界面緊密接觸的靜電力，由此完成粘過程不可逆的鍵合。近年來，為了避免高溫條件，許多研究人員也對(duì)在現(xiàn)陽極鍵合進(jìn)行了研究。研究發(fā)現(xiàn)，在低溫條件下（≤500℃），陽極鍵接實(shí)現(xiàn)[13]，而是需要一定的中間層材料，如可以在待鍵合表面蒸鍍或是沉積....

圖1.3直接鍵合原理示意圖

圖1.4硅片在不同表面特征下的鍵合圖片

吉林大學(xué)碩士學(xué)位論文圖1.3直接鍵合原理示意圖合是目前應(yīng)用較為廣泛的一種鍵合方法，大量學(xué)者也在研究如現(xiàn)直接鍵合。2010年，Liao[18]重點(diǎn)研究了硅片的表面粗糙度與度的關(guān)系。圖1.4是硅片在不同表面特征下的鍵合圖，可以看片鍵合率越大。

本文編號(hào)：3893711