基于芬頓反應(yīng)的單晶SiC化學腐蝕層納米力學特性研究
本文關(guān)鍵詞:基于芬頓反應(yīng)的單晶SiC化學腐蝕層納米力學特性研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】:本文主要利用納米壓痕實驗法與納米劃痕實驗法,對基于芬頓反應(yīng)的化學機械拋光腐蝕液催化劑進行優(yōu)選,檢測單晶SiC芬頓反應(yīng)腐蝕層表面的力學性能與材料表面的微觀形貌,從機理上對化學機械拋光進行理論研究。本論文的主要研究內(nèi)容和結(jié)論包括以下幾個方面:使用五種不同價態(tài)的鐵元素化合物作為催化劑,經(jīng)過芬頓反應(yīng)制備腐蝕樣品,利用納米壓痕實驗法,從材料力學角度測定不同深度的硬度、彈性模量,試圖尋找腐蝕效果最佳的鐵化合物催化劑。隨后采用x射線衍射儀(XRD)分析腐蝕后單晶SiC樣品的結(jié)構(gòu)變化,使用掃描電子顯微鏡(SEM)口能譜儀(EDS)檢測腐蝕后的表面微觀形貌以及化學成分。進一步確定不同催化劑產(chǎn)生的腐蝕層產(chǎn)物的一致性,理論分析和測試結(jié)果一致確認腐蝕層為Si02,硬度為2GPa左右,遠低于單晶SiC的39GPa。尋找出腐蝕效果最佳的單晶SiC芬頓反應(yīng)的催化劑,發(fā)現(xiàn)催化效果排列順序為Fe3O4FeOFeSO4Fe2(SO4) 3Fe2O3,印證了在芬頓反應(yīng)中Fe2+做主導作用,Fe3+做輔助作用,五種催化劑中Fe304的腐蝕效果最好效率最高。通過控制芬頓反應(yīng)腐蝕時間的長短,結(jié)合納米壓痕實驗法在軟膜硬基底上的基底效應(yīng)的影響,分析單晶SiC拋光片表面芬頓反應(yīng)產(chǎn)生的腐蝕層厚度與時間的對應(yīng)關(guān)系。腐蝕反應(yīng)從1min開始就對單晶SiC表面的力學性能產(chǎn)生了影響,并生成了腐蝕層,SiC表面的腐蝕層的厚度隨著時間的增加在不斷的增加。采用箱形圖,對芬頓反應(yīng)生成的腐蝕層的厚度分析,為后續(xù)協(xié)調(diào)化學機械拋光過程中化學反應(yīng)與機械反應(yīng)的協(xié)同作用奠定基礎(chǔ)。采用納米劃痕實驗方法進行測量腐蝕層與基底間的臨界附著力的研究,選取原始單晶SiC拋光片作對比。分別設(shè)計了不同腐蝕時間對臨界附著力影響的實驗,以及不同劃痕速度對臨界附著力影響的實驗。分析發(fā)現(xiàn)腐蝕層的厚度對于腐蝕層與基底間的附著力沒有影響。不同厚度的腐蝕層,剝離其所需要的載荷即臨界載荷在劃痕速度確定的情況下是固定不變的。當劃痕的速度發(fā)生變化時,臨界載荷的數(shù)值也將相應(yīng)發(fā)生改變,劃痕的速度越小,所需要的臨界載荷越大,反之亦然。研究結(jié)果為化學機械拋光過程中芬頓反應(yīng)與拋光盤載荷的協(xié)同作用提供理論依據(jù)。
【關(guān)鍵詞】:納米壓痕 納米劃痕 單晶SiC 芬頓反應(yīng) 催化劑
【學位授予單位】:廣東工業(yè)大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TN304.24
【目錄】:
- 摘要4-6
- ABSTRACT6-14
- 第一章 緒論14-24
- 1.1 課題的來源和意義14-15
- 1.1.1 課題的來源14
- 1.1.2 課題研究的背景及意義14-15
- 1.2 SiC晶片超精密加工現(xiàn)狀15-18
- 1.2.1 單晶SiC材料15-16
- 1.2.2 單晶SiC拋光片加工的現(xiàn)狀16-18
- 1.3 納米壓痕技術(shù)法研究薄膜結(jié)構(gòu)現(xiàn)狀18-21
- 1.3.1 納米力學測試技術(shù)的發(fā)展18-20
- 1.3.2 薄膜材料納米力學性能的表征手段20-21
- 1.3.3 不同厚度的薄膜判定現(xiàn)狀21
- 1.4 納米劃痕法研究附著力現(xiàn)狀21-22
- 1.5 論文內(nèi)容安排22-24
- 第二章 實驗器材及研究方法24-40
- 2.1 腐蝕反應(yīng)原理及實驗材料24-25
- 2.1.1 單晶SiC芬頓(Fenton)反應(yīng)原理24-25
- 2.1.2 實驗材料25
- 2.2 納米壓痕實驗25-33
- 2.2.1 納米壓痕實驗儀器25-26
- 2.2.2 納米壓痕實驗原理26-28
- 2.2.3 腐蝕層厚度的推算方法28-33
- 2.3 納米劃痕實驗33-34
- 2.3.1 納米劃痕實驗器材33
- 2.3.2 納米劃痕粘附特性測試原理33
- 2.3.3 納米劃痕實驗過程33-34
- 2.4 實驗設(shè)計34-36
- 2.4.1 單晶SiC拋光片腐蝕前的準備工作34
- 2.4.2 單晶SiC拋光片的腐蝕實驗34-35
- 2.4.3 納米壓痕實驗35
- 2.4.4 納米劃痕實驗35-36
- 2.5 檢測儀器及方法36-39
- 2.6 本章小結(jié)39-40
- 第三章 腐蝕層厚度測量研究40-56
- 3.1 引言40
- 3.2 固相催化劑有效性分析40-48
- 3.2.1. 使用化學成分判斷不同固相催化劑腐蝕效果40-46
- 3.2.2. 使用XRD對SiC腐蝕層進行物相分析46-48
- 3.3 優(yōu)選最佳固相催化劑48-50
- 3.4 研究腐蝕時間對腐蝕層厚度變化的影響50-54
- 3.5 本章小結(jié)54-56
- 第四章 腐蝕層與基底間臨界附著力的研究56-66
- 4.1 引言56
- 4.2 納米劃痕實驗分析方法56-57
- 4.3 未腐蝕區(qū)域的納米劃痕實驗57-58
- 4.4 不同腐蝕層厚度對于臨界附著力的影響58-61
- 4.5 不同劃痕速度對于臨界附著力的影響61-63
- 4.6 表面的不均勻?qū)τ谂R界附著力的影響分析63-65
- 4.7 本章小結(jié)65-66
- 總結(jié)與展望66-69
- 參考文獻69-75
- 致謝75
【參考文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 高飛;徐永寬;程紅娟;洪穎;張淑娟;;4H-SiC(0001)硅面原子級平整拋光方法[J];微納電子技術(shù);2014年09期
2 李潔;;納米劃痕測試在材料研究領(lǐng)域的最新進展[J];材料導報;2010年S1期
3 王群;;淺談陶瓷釉面顯微硬度測試設(shè)備的應(yīng)用[J];陶瓷;2009年11期
4 操振華;李平云;陸海鳴;孟祥康;;納米壓痕法測量納米晶金屬Cu薄膜力學性能的研究[J];南京大學學報(自然科學版);2009年02期
5 肖先勇;王希寶;季廣輝;;基于箱形圖和矩估計的敏感元件電壓凹陷敏感度評估[J];電網(wǎng)技術(shù);2008年17期
6 丁凌艷;戴一帆;陳善勇;;平面子孔徑拼接測量研究[J];光學精密工程;2008年06期
7 李響;楊洪星;于妍;許德洪;;SiC化學機械拋光技術(shù)的研究進展[J];半導體技術(shù);2008年06期
8 冀國俊;史志銘;;氧化鈦涂膜玻璃的納米壓痕實驗及有限元模擬[J];稀有金屬材料與工程;2007年S2期
9 桂文林;伍超標;;基于二階擴展形式的金融資產(chǎn)回報“厚尾”分布形狀參數(shù)矩估計階的推廣[J];數(shù)學的實踐與認識;2007年04期
10 張?zhí)┤A;影響納米壓入測試結(jié)果的因素[J];實驗力學;2004年04期
中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條
1 張?zhí)炝?納米壓入技術(shù)中基底和針尖效應(yīng)的研究[D];中國科學技術(shù)大學;2008年
中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條
1 王磊;基于芬頓反應(yīng)的單晶SiC化學機械拋光液研究[D];廣東工業(yè)大學;2015年
2 劉志軍;碳化硅鏡面材料的磁流變拋光工藝研究[D];國防科學技術(shù)大學;2008年
3 王登峰;光學鏡面離子束拋光系統(tǒng)工藝參數(shù)研究[D];國防科學技術(shù)大學;2007年
4 王春亮;納米壓痕試驗方法研究[D];機械科學研究總院;2007年
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