氮化鎵(GaN)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,其帶隙寬度可高達(dá)3.4 eV,因其具有較為優(yōu)異的光學(xué)特性,在藍(lán)光LED等發(fā)光器件中具有巨大的應(yīng)用潛力。此外,GaN本身的晶體結(jié)構(gòu)特性也使其在高溫、高頻、高壓下支持許多強(qiáng)電學(xué)機(jī)制在各種傳感、大功率及高頻微波器件中穩(wěn)定運(yùn)行,因此對(duì)GaN材料進(jìn)行功能化的構(gòu)筑有助于提高其應(yīng)用價(jià)值。本論文基于氫化物氣相外延(HVPE)法生長5μm厚的GaN材料為研究對(duì)象,探討了金屬與GaN復(fù)合材料的制備及其在電化學(xué)傳感和拉曼光譜中的應(yīng)用。具體研究內(nèi)容如下:1.以綠色環(huán)保的非水溶液離子液體作為刻蝕劑,采用光電化學(xué)濕法刻蝕方法對(duì)GaN材料表面進(jìn)行多孔納米結(jié)構(gòu)的構(gòu)筑,具體研究了不同刻蝕電壓、刻蝕時(shí)間對(duì)多孔形貌的影響,對(duì)刻蝕機(jī)理進(jìn)行了詳細(xì)的探討。得到的最佳實(shí)驗(yàn)條件為7 V、15 min。隨后,在三電極系統(tǒng)中,以多孔GaN作為工作電極,通過電化學(xué)手段在多孔GaN表面進(jìn)行小尺寸貴金屬納米粒子的負(fù)載。以貴金屬Pt為例,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明通過循環(huán)伏安法可以有效的實(shí)現(xiàn)小粒徑納米粒子的制備。2.采用一種簡單的兩步電化學(xué)沉積法,在多孔GaN電極上制備了金屬Pt和Pd的納米復(fù)合物(Pd-Pt),成功...

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

圖1.1纖鋅礦GaN晶體結(jié)構(gòu)示意圖

圖1.2GaN晶體纖鋅礦晶胞結(jié)構(gòu)示意圖

圖1.3Pt-PbNCs不同反應(yīng)時(shí)間的透射電子顯微鏡(TEM)圖和生長機(jī)理示意圖

圖1.4AuNPs作為載體的各種應(yīng)用

本文編號(hào)：3884590