發(fā)布時(shí)間：2024-01-18 19:35

　　隨著微電子技術(shù)地不斷發(fā)展,傳統(tǒng)集成電路技術(shù)在器件微型化方面的發(fā)展遇到瓶頸,并且器件功耗問(wèn)題也日漸嚴(yán)重。傳統(tǒng)集成電路中多用MOSFET,而MOSFET器件由于其工作原理的限制,亞閾值擺幅(SS)不能低于60mV/dec,同時(shí)短溝道效應(yīng)也限制了器件尺寸的進(jìn)一步減小。近年來(lái)新發(fā)現(xiàn)的隧穿場(chǎng)效應(yīng)管(TFET)被認(rèn)為是取代MOSFET的理想器件之一,TFET利用電子在不同子帶間的量子隧穿效應(yīng)產(chǎn)生溝道電流,因此TFET的亞閾值擺幅可以小于60mV/dec,同時(shí)在一定程度上抑制了短溝道效應(yīng)。本文的主要內(nèi)容分為四部分:第一部分為論文第一、二章。首先從器件結(jié)構(gòu)和工作原理兩方面對(duì)比了TFET和傳統(tǒng)MOSFET的不同。然后研究了石墨烯納米帶的物理特性,因?yàn)槭┘{米帶具有尺寸小、厚度薄、電子遷移率高和帶隙窄等優(yōu)點(diǎn),所以將其作為后文提出器件的溝道材料。最后介紹了仿真軟件NanoTCAD的使用方法,以及網(wǎng)格劃分的規(guī)則。第二部分為論文第三章。提出了一種同質(zhì)結(jié)雙柵石墨烯納米帶TFET,在源極和溝道之間插入一個(gè)重N型摻雜T區(qū)域,并在漏極考慮遞增摻雜。然后研究了雙柵結(jié)構(gòu)、T區(qū)域長(zhǎng)度、柵極對(duì)齊、柵氧層介電常數(shù)和漏極摻雜濃度...

【文章頁(yè)數(shù)】：68 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

本文編號(hào)：3879888