自1970年,元件制造首先采用感應(yīng)耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)后,至今30多年,它的發(fā)展與集成電路和光電子器件發(fā)展密不可分,很大程度上,干法刻蝕的水平?jīng)Q定了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的水平和規(guī)模。在本文中,本課題組使用ICP刻蝕技術(shù)刻蝕GaAs材料,在Cl₂/Ar/O₂環(huán)境下,研究控制刻蝕氣流組成成分,刻蝕氣流總速率等不同的刻蝕條件對(duì)于GaAs材料刻蝕速率的影響。實(shí)驗(yàn)表明,當(dāng)刻蝕氣流的成分不變的情況下,GaAs的刻蝕速率隨著總刻蝕氣流速率的增加而增加�？涛g孔徑的大小和Cl₂的含量多少也會(huì)影響GaAs的刻蝕速率。當(dāng)O₂的含量在5%左右或者大于5%的實(shí)驗(yàn)中,GaAs材料的刻蝕表面的粗糙度幾乎沒(méi)有被刻蝕所影響。同時(shí),給出了實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的簡(jiǎn)要分析和解釋。

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【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及討論
3 結(jié)論



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