自1970年,元件制造首先采用感應耦合等離子體(ICP)刻蝕技術后,至今30多年,它的發(fā)展與集成電路和光電子器件發(fā)展密不可分,很大程度上,干法刻蝕的水平?jīng)Q定了整個產(chǎn)業(yè)的水平和規(guī)模。在本文中,本課題組使用ICP刻蝕技術刻蝕GaAs材料,在Cl₂/Ar/O₂環(huán)境下,研究控制刻蝕氣流組成成分,刻蝕氣流總速率等不同的刻蝕條件對于GaAs材料刻蝕速率的影響。實驗表明,當刻蝕氣流的成分不變的情況下,GaAs的刻蝕速率隨著總刻蝕氣流速率的增加而增加。刻蝕孔徑的大小和Cl₂的含量多少也會影響GaAs的刻蝕速率。當O₂的含量在5%左右或者大于5%的實驗中,GaAs材料的刻蝕表面的粗糙度幾乎沒有被刻蝕所影響。同時,給出了實驗現(xiàn)象的簡要分析和解釋。

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【文章目錄】：
1 實驗
2 實驗結(jié)果及討論
3 結(jié)論



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