為了探索PdO薄膜的光電性質(zhì),采用電子束和CVD高溫氧化技術(shù)在N型Si上生長了PdO薄膜,使用X射線衍射儀(XRD)、拉曼光譜儀(RAMAN)和原子力顯微鏡(AFM)對薄膜的成分和形貌進行表征。研制了PdO/Si異質(zhì)結(jié)光電探測器,并對探測器進行光電性能測試。實驗結(jié)果表明,探測器具有優(yōu)異的整流特性,在波長為970 nm的光照下,開關(guān)比高達9.8×10³,并具有優(yōu)異的空氣穩(wěn)定性和耐久性。因此當前器件在未來的NIR光電系統(tǒng)中具有巨大的應用潛力。

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