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基于復(fù)合空穴傳輸層的鈣鈦礦發(fā)光二極管光電性能研究

發(fā)布時(shí)間:2023-12-20 08:12
  有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦是一種新型的可溶液處理的半導(dǎo)體材料,具有熒光量子產(chǎn)率高、色純度高、能帶可調(diào)、可低溫與大面積制備等優(yōu)異特性,因此鈣鈦礦材料在發(fā)光器件中表現(xiàn)出極大的應(yīng)用前景。然而,在鈣鈦礦發(fā)光二極管(Perovskite Lighting Emitting Diode,PeLED)中存在以下問題:第一,單步旋涂法制備的鈣鈦礦薄膜存在多孔洞多和高缺陷密度現(xiàn)象;第二,載流子傳輸不匹配。因此如何改善鈣鈦礦薄膜質(zhì)量并增強(qiáng)空穴傳輸層的傳輸能力變得至關(guān)重要。本論文以鈣鈦礦材料MAPbBr3為研究對(duì)象,通過(guò)改善制造鈣鈦礦薄膜的工藝,同時(shí)使用復(fù)合空穴傳輸層等手段改進(jìn)PeLEDs光電性能,論文的主要研究?jī)?nèi)容包括以下三個(gè)部分:(1)優(yōu)化鈣鈦礦發(fā)光二極管基礎(chǔ)器件的制備參數(shù),采用多次旋涂法改善鈣鈦礦薄膜的質(zhì)量與PeLEDs光電性能。研究鈣鈦礦前驅(qū)體濃度、MABr:PbBr2摩爾比例和退火溫度對(duì)制備MAPbBr3薄膜質(zhì)量的影響,得出最佳的鈣鈦礦成膜條件:鈣鈦礦濃度為5%,MABr:PbBr2摩爾比例為2:1,退火溫度為80℃...

【文章頁(yè)數(shù)】:71 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 鈣鈦礦材料
        1.2.1 晶體結(jié)構(gòu)
        1.2.2 鈣鈦礦的特點(diǎn)
    1.3 PeLEDs簡(jiǎn)介
        1.3.1 PeLEDs發(fā)展概述
        1.3.2 PeLEDs的結(jié)構(gòu)
        1.3.3 PeLEDs工作原理
    1.4 課題研究的意義與工作安排
第2章 PeLEDs的制備和表征
    2.1 鈣鈦礦薄膜的制備方法
    2.2 PeLEDs的制備工藝
    2.3 PeLEDs的表征參數(shù)
    2.4 鈣鈦礦薄膜常用的表征手段
    2.5 本章小結(jié)
第3章 鈣鈦礦發(fā)光層的工藝優(yōu)化
    3.1 基礎(chǔ)器件實(shí)驗(yàn)部分
    3.2 結(jié)果分析
        3.2.1 鈣鈦礦溶液的濃度對(duì)鈣鈦礦薄膜的影響
        3.2.2 MABr與 PbBr2 的摩爾比例對(duì)鈣鈦礦薄膜的影響
        3.2.3 退火溫度對(duì)PeLEDs器件性能的影響研究
    3.3 多次旋涂對(duì)鈣鈦礦薄膜及器件性能的影響
        3.3.1 實(shí)驗(yàn)部分
        3.3.2 多次旋涂法對(duì)MAPbBr3 薄膜的影響
        3.3.3 多次旋涂法對(duì)PeLEDs器件性能的影響
    3.4 本章小結(jié)
第4章 PEDOT:PSS與 MoO3復(fù)合空穴傳輸層對(duì)PeLEDs性能的影響
    4.1 實(shí)驗(yàn)部分
        4.1.1 所用藥品及試劑
        4.1.2 PEDOT:PSS與三氧化鉬復(fù)合空穴傳輸層的Pe LEDs制備及性能測(cè)試
    4.2 結(jié)果討論
        4.2.1 PEDOT:PSS中摻雜三氧化鉬對(duì)鈣鈦礦薄膜的影響
        4.2.2 PEDOT:PSS中摻雜三氧化鉬的PeLEDs器件性能的影響
    4.3 本章小結(jié)
第5章 PEDOT:PSS與氧化石墨烯復(fù)合空穴傳輸層對(duì)PeLEDs性能的影響
    5.1 PEDOT:PSS與氧化石墨烯復(fù)合空穴傳輸層的Pe LEDs制備及性能測(cè)試
    5.2 結(jié)果討論
        5.2.1 PEDOT:PSS中摻雜氧化石墨烯對(duì)鈣鈦礦薄膜的影響
        5.2.2 PEDOT:PSS中摻雜氧化石墨烯對(duì)Pe LEDs器件性能的影響
    5.3 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)與展望
    6.1 總結(jié)
    6.2 展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間科研成果
致謝



本文編號(hào):3873993

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