微控制器(Microcontroller,MCU)作為現(xiàn)代電子產品的核心組成部分,其電磁兼容(Electromagnetic Compatibility,EMC)性能往往在電子系統(tǒng)的中扮演著至關重要角色,因為單個芯片的EMC魯棒性直接影響到整個電子系統(tǒng)的魯棒性。隨著集成電路(IC)制造技術的不斷進步,MCU的特征尺寸和工作電壓的不斷減小、工作頻率和集成化水平越來越高,伴隨而來的是其EMC抗擾度性能越來越低。MCU遭受的主要的電磁干擾就是瞬態(tài)脈沖干擾。出于對芯片的EMC性能的要求,十分必要提出有效地EMC測試方法來衡量MCU的瞬態(tài)脈沖抗擾度性能。為了更好的理解MCU的瞬態(tài)脈沖干擾的失效機制和節(jié)約MCU產品花費在EMC性能提高方面的開支,建立MCU的瞬態(tài)脈沖抗擾度模型來預測MCU的抗擾度等級是十分有意義的。本文首先介紹了瞬態(tài)脈沖干擾信號的特征和耦合機理等,同時還分析了干擾源的測試模型、現(xiàn)有的EMC測試標準以及對MCU的危害等。接著在此基礎上介紹了MCU的抗擾度建模的仿真與分析方法。創(chuàng)新點是在靜電放電(Electro-Static Discharge,ESD)和Langer EFT干擾源的測...

【文章頁數(shù)】：69 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 研究背景及意義
    1.2 國內外研究現(xiàn)狀
    1.3 論文的主要研究內容與章節(jié)安排
第2章 MCU的瞬態(tài)脈沖干擾
    2.1 IC EMC的相關概念
    2.2 瞬態(tài)脈沖干擾
        2.2.1 兩種瞬態(tài)脈沖干擾源的特征分析
        2.2.2 瞬態(tài)脈沖干擾的耦合機理和危害
        2.2.3 兩種瞬態(tài)脈沖干擾源的測試模型和Spice模型介紹
        2.2.4 IC級瞬態(tài)脈沖抗擾度測試標準介紹
    2.3 MCU的抗擾度建模與仿真分析方法
        2.3.1 電路級的建模方法
        2.3.2 行為級的建模方法
        2.3.3 建模仿真工具介紹
    2.4 本章小結
第3章 MCU的EFT和ESD測試方法介紹與研究
    3.1 MCU的EMC抗擾度測試流程
    3.2 MCU的EFT測試方法
        3.2.1 測試安裝環(huán)境
        3.2.2 硬件配置
        3.2.3 軟件配置
    3.3 MCU的ESD測試方法
        3.3.1 測試安裝環(huán)境
        3.3.2 硬件配置
        3.3.3 軟件配置
    3.4 改進的MCU的EFT測試方法研究與驗證
        3.4.1 測試配置說明
        3.4.2 測試結果與分析
    3.5 本章小結
第4章 MCU的瞬態(tài)脈沖抗擾度建模與仿真
    4.0 建模的流程和框架
    4.1 獨立器件的建模與仿真
    4.2 PDN的建模與仿真
        4.2.1 建模方案
        4.2.2 參數(shù)測量結果
    4.3 整體模型的仿真與驗證
        4.3.1 整體仿真模型
        4.3.2 驗證方案
        4.3.3 測量結果與仿真結果分析
    4.4 本章小結
第5章 總結與展望
參考文獻
致謝
在學期間發(fā)表的學術論文與研究成果



本文編號：3861161