微控制器(Microcontroller,MCU)作為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的核心組成部分,其電磁兼容(Electromagnetic Compatibility,EMC)性能往往在電子系統(tǒng)的中扮演著至關(guān)重要角色,因?yàn)閱蝹�(gè)芯片的EMC魯棒性直接影響到整個(gè)電子系統(tǒng)的魯棒性。隨著集成電路(IC)制造技術(shù)的不斷進(jìn)步,MCU的特征尺寸和工作電壓的不斷減小、工作頻率和集成化水平越來越高,伴隨而來的是其EMC抗擾度性能越來越低。MCU遭受的主要的電磁干擾就是瞬態(tài)脈沖干擾。出于對(duì)芯片的EMC性能的要求,十分必要提出有效地EMC測(cè)試方法來衡量MCU的瞬態(tài)脈沖抗擾度性能。為了更好的理解MCU的瞬態(tài)脈沖干擾的失效機(jī)制和節(jié)約MCU產(chǎn)品花費(fèi)在EMC性能提高方面的開支,建立MCU的瞬態(tài)脈沖抗擾度模型來預(yù)測(cè)MCU的抗擾度等級(jí)是十分有意義的。本文首先介紹了瞬態(tài)脈沖干擾信號(hào)的特征和耦合機(jī)理等,同時(shí)還分析了干擾源的測(cè)試模型、現(xiàn)有的EMC測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)以及對(duì)MCU的危害等。接著在此基礎(chǔ)上介紹了MCU的抗擾度建模的仿真與分析方法。創(chuàng)新點(diǎn)是在靜電放電(Electro-Static Discharge,ESD)和Langer EFT干擾源的測(cè)...

【文章頁數(shù)】：69 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 研究背景及意義
    1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.3 論文的主要研究?jī)?nèi)容與章節(jié)安排
第2章 MCU的瞬態(tài)脈沖干擾
    2.1 IC EMC的相關(guān)概念
    2.2 瞬態(tài)脈沖干擾
        2.2.1 兩種瞬態(tài)脈沖干擾源的特征分析
        2.2.2 瞬態(tài)脈沖干擾的耦合機(jī)理和危害
        2.2.3 兩種瞬態(tài)脈沖干擾源的測(cè)試模型和Spice模型介紹
        2.2.4 IC級(jí)瞬態(tài)脈沖抗擾度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)介紹
    2.3 MCU的抗擾度建模與仿真分析方法
        2.3.1 電路級(jí)的建模方法
        2.3.2 行為級(jí)的建模方法
        2.3.3 建模仿真工具介紹
    2.4 本章小結(jié)
第3章 MCU的EFT和ESD測(cè)試方法介紹與研究
    3.1 MCU的EMC抗擾度測(cè)試流程
    3.2 MCU的EFT測(cè)試方法
        3.2.1 測(cè)試安裝環(huán)境
        3.2.2 硬件配置
        3.2.3 軟件配置
    3.3 MCU的ESD測(cè)試方法
        3.3.1 測(cè)試安裝環(huán)境
        3.3.2 硬件配置
        3.3.3 軟件配置
    3.4 改進(jìn)的MCU的EFT測(cè)試方法研究與驗(yàn)證
        3.4.1 測(cè)試配置說明
        3.4.2 測(cè)試結(jié)果與分析
    3.5 本章小結(jié)
第4章 MCU的瞬態(tài)脈沖抗擾度建模與仿真
    4.0 建模的流程和框架
    4.1 獨(dú)立器件的建模與仿真
    4.2 PDN的建模與仿真
        4.2.1 建模方案
        4.2.2 參數(shù)測(cè)量結(jié)果
    4.3 整體模型的仿真與驗(yàn)證
        4.3.1 整體仿真模型
        4.3.2 驗(yàn)證方案
        4.3.3 測(cè)量結(jié)果與仿真結(jié)果分析
    4.4 本章小結(jié)
第5章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
在學(xué)期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文與研究成果



本文編號(hào)：3861161