隨著5G通信技術的發(fā)展,通信頻段不斷提高,以氮化鋁(AlN)為壓電薄膜材料的薄膜體聲波濾波器作為目前唯一可集成的射頻前段濾波器成為研究熱點之一。本文開展AlN材料刻蝕工藝的實驗研究,實驗中采用光刻膠作為刻蝕掩膜,Cl₂/BCl₃作為刻蝕工藝氣體,通過一系列工藝影響參數(shù)調整及相應刻蝕結果分析,獲得了ICP源功率、RF偏壓功率、腔體壓強和BCl₃氣體流量對AlN材料和光刻膠掩膜刻蝕速率、刻蝕形貌的影響規(guī)律。通過綜合優(yōu)化工藝參數(shù),最終得到了側壁平坦、表面光滑的空氣隙型薄膜體聲波濾波器三明治結構。

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實驗原理和方法
2 實驗結果與分析
    2.1 ICP源功率對AlN刻蝕的影響
    2.2 RF偏壓功率對AlN刻蝕的影響
    2.3 腔體壓強對AlN刻蝕的影響
    2.4 BCl3氣體流量對AlN刻蝕的影響
3 結論



本文編號：3840418