通過理論計算獲得Zn Te/Si(211)與Zn Te/Ga As(211)異質(zhì)結(jié)構(gòu)樣品室溫下的熱應變分布與曲率半徑,并采用激光干涉儀測量兩個樣品室溫下的曲率半徑。研究發(fā)現(xiàn),在(211)面上進行異質(zhì)外延,兩個互相垂直的晶向方向[1-1-1]和[01-1]的應變分布呈現(xiàn)各向異性,且沿兩個方向上的表面曲率半徑亦存在差異。Zn Te/Ga As(211)樣品的激光干涉測量結(jié)果與理論計算較為吻合,均為同一數(shù)量級的表面曲率半徑方向為負的張應變,Zn Te/Si(211)樣品的測量結(jié)果則存在較大差異。由于Si襯底在高溫脫氧的過程中產(chǎn)生了表面曲率半徑方向為正的塑性形變,在一定程度上降低了外延Zn Te后異質(zhì)結(jié)構(gòu)的彎曲程度,減小了熱失配應變。

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【文章目錄】：
0 引言
1 實驗與建模
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



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