采用在發(fā)射區(qū)臺面腐蝕時保留InGaP鈍化層和去除InGaP鈍化層的方法制備了兩種InGaP/Ga As異質結雙極晶體管(HBT)器件,研究了InGaP鈍化層對HBT器件基區(qū)表面電流復合以及器件直流和射頻微波特性的影響。對制備的兩種器件進行了對比測試后得到:保留InGaP鈍化層的HBT器件最大直流增益(β)為130,最高振蕩頻率(fmax)大于53 GHz,功率附加效率達到61%,線性功率增益為23 dB;而去除InGaP鈍化層的器件最大β為50,f_max大于43 GHz,功率附加效率為57%,線性功率增益為18 dB。測試結果表明,InGaP鈍化層作為一種耗盡型的鈍化層能有效抑制基區(qū)表面電流的復合,提高器件直流增益,改善器件的射頻微波特性。

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【文章目錄】：
0 引言
1 工藝制備過程
2 直流特性分析
3 微波特性分析
4 結論



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