針對(duì)更精確電遷移預(yù)測(cè)應(yīng)用的熱耦合模型建模
發(fā)布時(shí)間:2023-06-02 22:50
基于先進(jìn)邏輯CMOS工藝平臺(tái),構(gòu)建了集成電路熱耦合模型,為后端金屬線電遷移預(yù)測(cè)提供更精確的溫度變化和分布信息。在建模過(guò)程中,為了提高建模和仿真效率,對(duì)金屬線網(wǎng)絡(luò)和晶體管有源區(qū)進(jìn)行簡(jiǎn)化,并用熱傳輸比率對(duì)熱耦合進(jìn)行表征。考慮到晶體管參數(shù)、金屬線走向、金屬線之間相對(duì)位置對(duì)熱傳輸比率的影響,模型中引入相關(guān)因子對(duì)熱傳輸比率做進(jìn)一步修正。最后,將該熱傳輸模型嵌入到商用仿真軟件中。結(jié)果表明,熱傳輸比率(即溫度)的仿真值與基于工藝平臺(tái)流片的實(shí)測(cè)值吻合良好,驗(yàn)證了模型的準(zhǔn)確性。
【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)
【文章目錄】:
0 引 言
1 理論基礎(chǔ)
2 模型的簡(jiǎn)化與假設(shè)
2.1 模型中熱傳遞的簡(jiǎn)化
2.2 金屬線模型的簡(jiǎn)化
2.3 器件-金屬線熱耦合的近似
2.4 局部區(qū)域熱耦合的近似
3 熱耦合模型的建立
3.1 器件-金屬線熱耦合模型
3.2 金屬線-金屬線熱耦合模型
4 模型驗(yàn)證與分析
5 結(jié) 論
本文編號(hào):3828172
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0 引 言
1 理論基礎(chǔ)
2 模型的簡(jiǎn)化與假設(shè)
2.1 模型中熱傳遞的簡(jiǎn)化
2.2 金屬線模型的簡(jiǎn)化
2.3 器件-金屬線熱耦合的近似
2.4 局部區(qū)域熱耦合的近似
3 熱耦合模型的建立
3.1 器件-金屬線熱耦合模型
3.2 金屬線-金屬線熱耦合模型
4 模型驗(yàn)證與分析
5 結(jié) 論
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