目前主流的異質(zhì)集成技術(shù)有單片異質(zhì)外延生長(zhǎng)、外延層轉(zhuǎn)移和小芯片微米級(jí)組裝。硅基異質(zhì)集成主要是指以硅材料為襯底集成異質(zhì)材料(器件)所形成的集成電路技術(shù)。它首先在軍用微電子研究中得到重視,并逐漸在民用領(lǐng)域擴(kuò)展。硅基異質(zhì)集成技術(shù)正處于芯片級(jí)集成向晶體管級(jí)集成的發(fā)展初期,已有關(guān)于晶體管級(jí)和亞晶體管級(jí)集成的報(bào)道。本文重點(diǎn)研究了單片三維集成電路(3D SoC)、太赫茲SiGe HBT器件、超高速光互連封裝級(jí)系統(tǒng)(SiP)、單片集成電磁微系統(tǒng)等硅基異質(zhì)集成技術(shù)前沿,展現(xiàn)了硅基異質(zhì)集成技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì),及其在軍用和民用通信、智能傳感技術(shù)發(fā)展中所具有的重要意義。

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【文章目錄】：
0 引 言
1 硅基異質(zhì)集成向晶體管級(jí)-亞晶體管級(jí)集成發(fā)展
2 單片3D SoC達(dá)到新階段
    2.1 單片3D SoC的技術(shù)細(xì)節(jié)
    2.2 最新進(jìn)展和最終目標(biāo)
    2.3 影響意義
3 SiGe HBT邁向太赫茲領(lǐng)域
    3.1 向太赫芝頻段發(fā)展
    3.2 軍事應(yīng)用價(jià)值
4 硅光子技術(shù)
5 單片集成電磁微系統(tǒng)
6 結(jié)束語(yǔ)



本文編號(hào)：3823973