基于有機場效應(yīng)晶體管的存儲器件被廣泛應(yīng)用,是由于其具有容易堆疊大規(guī)模集成電路,邏輯信號非破壞性讀出以及駐極體材料的溶解度較好等優(yōu)勢。存儲器通過駐極體中的駐極體材料來存儲電荷,駐極體材料的性質(zhì)很大程度上決定著存儲性能的好壞,所以駐極體材料在OFET存儲器中占據(jù)著非常重要的地位。在現(xiàn)有駐極體材料中,由于具有豐富的結(jié)構(gòu)靈活性,低成本,溶液可加工性和三維堆疊能力等吸引人的特性,具有電雙穩(wěn)態(tài)行為的D-A聚合物基存儲器件近來受到相當(dāng)大的關(guān)注,D/A單元的引入,引起分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移,使得分子具有良好的存儲能力。然而,與聚合物相比,小分子具有明確的分子結(jié)構(gòu),低成本、簡單,可設(shè)計性、易于純化、可重現(xiàn)性、調(diào)控電子和結(jié)構(gòu)等特性,因此,有機小分子作為數(shù)據(jù)存儲的研究具有現(xiàn)實意義。而D/A單元的比例、D/A單元處于側(cè)鏈或主鏈、D/A單元的排列順序、D/A單元給電子或吸電子能力的差異等這些因素都能引起存儲性能的差異。因此為了探究D/A單元對存儲器件性能的影響,本文設(shè)計合成了一系列的D-A小分子,以探究不同的存儲器件性能。第二章通過Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)、傅克反應(yīng)構(gòu)筑以吸電子基團苯并噻二唑為橋,H型的末端基團接枝富電子芳...

【文章頁數(shù)】：81 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 有機場效應(yīng)晶體管存儲器的研究現(xiàn)狀
    1.2 有機場效應(yīng)晶體管存儲器有機駐極體材料的發(fā)展現(xiàn)狀
        1.2.1 有機場效應(yīng)晶體管存儲器的聚合物材料
        1.2.2 有機場效應(yīng)晶體管存儲器的D-A聚合物材料
        1.2.3 有機場效應(yīng)晶體管存儲器的D-A小分子材料
    1.3 本論文的設(shè)計思想
第二章 端基接枝給體單元的芴基H型D-A材料
    2.1 引言
    2.2 實驗部分
        2.2.1 實驗原料和試劑
        2.2.2 綜合實驗表征
        2.2.3 合成實驗
    2.3 結(jié)果與討論
        2.3.1 H型D-A有機小分子的結(jié)構(gòu)表征
        2.3.2 H型D-A有機小分子的熱表征
        2.3.3 H型D-A有機小分子的光譜表征
        2.3.4 H型D-A有機小分子的電化學(xué)表征
        2.3.5 H型D-A有機小分子的發(fā)光性質(zhì)及熒光壽命表征
        2.3.6 H型D-A有機小分子的晶體管存儲性質(zhì)表征
    2.4 本章小結(jié)
第三章 端基接枝受體單元的H型材料
    3.1 引言
    3.2 實驗部分
        3.2.1 實驗原料和試劑
        3.2.2 綜合實驗表征
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 H-4CHO小分子的合成
        3.3.2 H-4CHO小分子的結(jié)構(gòu)表征
        3.3.3 H-4CHO小分子的熱表征
        3.3.4 H-4CHO小分子的光譜表征
        3.3.5 H-4CHO小分子的電化學(xué)表征
        3.3.6 H-4CHO小分子的存儲表征
    3.4 本章小結(jié)
第四章 日字型D-A格子的合成及光電性質(zhì)
    4.1 引言
    4.2 實驗部分
        4.2.1 實驗原料和試劑
        4.2.2 綜合實驗表征
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1“日”字型D-A格子的合成與結(jié)構(gòu)表征
        4.3.2“日”字型D-A格子的熱表征
        4.3.3“日”字型D-A格子的光譜表征
        4.3.4“日”字型D-A格子的電化學(xué)表征
        4.3.5“日”字型D-A格子的存儲表征
    4.4 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻
附圖
附錄3 攻讀碩士學(xué)位期間申請的專利
附錄4
致謝



本文編號：3819051