基于有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的存儲(chǔ)器件被廣泛應(yīng)用,是由于其具有容易堆疊大規(guī)模集成電路,邏輯信號(hào)非破壞性讀出以及駐極體材料的溶解度較好等優(yōu)勢(shì)。存儲(chǔ)器通過(guò)駐極體中的駐極體材料來(lái)存儲(chǔ)電荷,駐極體材料的性質(zhì)很大程度上決定著存儲(chǔ)性能的好壞,所以駐極體材料在OFET存儲(chǔ)器中占據(jù)著非常重要的地位。在現(xiàn)有駐極體材料中,由于具有豐富的結(jié)構(gòu)靈活性,低成本,溶液可加工性和三維堆疊能力等吸引人的特性,具有電雙穩(wěn)態(tài)行為的D-A聚合物基存儲(chǔ)器件近來(lái)受到相當(dāng)大的關(guān)注,D/A單元的引入,引起分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移,使得分子具有良好的存儲(chǔ)能力。然而,與聚合物相比,小分子具有明確的分子結(jié)構(gòu),低成本、簡(jiǎn)單,可設(shè)計(jì)性、易于純化、可重現(xiàn)性、調(diào)控電子和結(jié)構(gòu)等特性,因此,有機(jī)小分子作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的研究具有現(xiàn)實(shí)意義。而D/A單元的比例、D/A單元處于側(cè)鏈或主鏈、D/A單元的排列順序、D/A單元給電子或吸電子能力的差異等這些因素都能引起存儲(chǔ)性能的差異。因此為了探究D/A單元對(duì)存儲(chǔ)器件性能的影響,本文設(shè)計(jì)合成了一系列的D-A小分子,以探究不同的存儲(chǔ)器件性能。第二章通過(guò)Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)、傅克反應(yīng)構(gòu)筑以吸電子基團(tuán)苯并噻二唑?yàn)闃?H型的末端基團(tuán)接枝富電子芳...

【文章頁(yè)數(shù)】：81 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的研究現(xiàn)狀
    1.2 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器有機(jī)駐極體材料的發(fā)展現(xiàn)狀
        1.2.1 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的聚合物材料
        1.2.2 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的D-A聚合物材料
        1.2.3 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的D-A小分子材料
    1.3 本論文的設(shè)計(jì)思想
第二章 端基接枝給體單元的芴基H型D-A材料
    2.1 引言
    2.2 實(shí)驗(yàn)部分
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)原料和試劑
        2.2.2 綜合實(shí)驗(yàn)表征
        2.2.3 合成實(shí)驗(yàn)
    2.3 結(jié)果與討論
        2.3.1 H型D-A有機(jī)小分子的結(jié)構(gòu)表征
        2.3.2 H型D-A有機(jī)小分子的熱表征
        2.3.3 H型D-A有機(jī)小分子的光譜表征
        2.3.4 H型D-A有機(jī)小分子的電化學(xué)表征
        2.3.5 H型D-A有機(jī)小分子的發(fā)光性質(zhì)及熒光壽命表征
        2.3.6 H型D-A有機(jī)小分子的晶體管存儲(chǔ)性質(zhì)表征
    2.4 本章小結(jié)
第三章 端基接枝受體單元的H型材料
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)部分
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)原料和試劑
        3.2.2 綜合實(shí)驗(yàn)表征
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 H-4CHO小分子的合成
        3.3.2 H-4CHO小分子的結(jié)構(gòu)表征
        3.3.3 H-4CHO小分子的熱表征
        3.3.4 H-4CHO小分子的光譜表征
        3.3.5 H-4CHO小分子的電化學(xué)表征
        3.3.6 H-4CHO小分子的存儲(chǔ)表征
    3.4 本章小結(jié)
第四章 日字型D-A格子的合成及光電性質(zhì)
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)部分
        4.2.1 實(shí)驗(yàn)原料和試劑
        4.2.2 綜合實(shí)驗(yàn)表征
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1“日”字型D-A格子的合成與結(jié)構(gòu)表征
        4.3.2“日”字型D-A格子的熱表征
        4.3.3“日”字型D-A格子的光譜表征
        4.3.4“日”字型D-A格子的電化學(xué)表征
        4.3.5“日”字型D-A格子的存儲(chǔ)表征
    4.4 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
附圖
附錄3 攻讀碩士學(xué)位期間申請(qǐng)的專利
附錄4
致謝



本文編號(hào)：3819051