目的探究磁流變動(dòng)壓復(fù)合拋光基本原理及拋光力學(xué)特性。方法通過建立磁流變動(dòng)壓復(fù)合拋光過程中流體動(dòng)壓數(shù)學(xué)模型,分析拋光盤面結(jié)構(gòu)化單元對(duì)拋光力學(xué)特性的影響規(guī)律,并優(yōu)化其結(jié)構(gòu)。搭建磁流變動(dòng)壓復(fù)合拋光測(cè)力系統(tǒng),探究工作間隙、拋光盤轉(zhuǎn)速、工件盤轉(zhuǎn)速和凸輪轉(zhuǎn)速對(duì)拋光力的影響規(guī)律,基于正交試驗(yàn),優(yōu)化拋光效果。結(jié)果拋光盤面結(jié)構(gòu)化單元的楔形區(qū)利于流體動(dòng)壓效應(yīng)的產(chǎn)生,且流體動(dòng)壓隨楔形角和工作間隙的增大而減少,隨楔形區(qū)寬度的增大而增大。結(jié)構(gòu)化單元較為合理的幾何參數(shù)為:楔形角3°～5°,工作間隙0.2～1.0 mm,楔形區(qū)寬度15～30 mm。法向力Fn隨工作間隙的增大而減小,隨工件盤轉(zhuǎn)速的增大而增大,隨拋光盤和凸輪轉(zhuǎn)速的增大而先增大后減小;剪切力Ft隨工作間隙的增大而減小,隨工件盤、拋光盤和凸輪轉(zhuǎn)速的增大均呈現(xiàn)先增大后減小的規(guī)律。通過正交試驗(yàn)獲得優(yōu)化工藝參數(shù)為:拋光盤轉(zhuǎn)速60 r/min,工件盤轉(zhuǎn)速600 r/min,凸輪轉(zhuǎn)速150 r/min。在羰基鐵粉(粒徑3μm、質(zhì)量分?jǐn)?shù)35%)、SiC磨料(粒徑3μm、質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%)、工作間隙0.4 mm和磁感應(yīng)強(qiáng)度0.1 T工況下,拋光2 in單晶硅基片4 h后,表面...

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本文編號(hào)：3809018