高能粒子在高密度等離子體中的能量沉積的Reduced PIC/MCC模擬研究
發(fā)布時(shí)間:2023-04-17 02:37
在超短超強(qiáng)激光與等離子體相互作用的過(guò)程中,位于臨界密度附近的粒子通過(guò)各種吸收機(jī)制將能量沉積到背景等離子體,產(chǎn)生大量具有相對(duì)論性能量的高能粒子。無(wú)論是在慣性約束聚變,還是在X射線成像技術(shù)等實(shí)際應(yīng)用研究中,這些高能粒子的產(chǎn)生、輸運(yùn)及能量沉積都具有重要的研究?jī)r(jià)值和意義。本文模擬研究在超短超強(qiáng)激光與高密度等離子體相互作用的背景下,在臨界密度附近的粒子吸收激光能量,當(dāng)粒子的能量達(dá)到一定值時(shí)會(huì)變成高能粒子,然后這些高能粒子從低密度等離子體區(qū)輸運(yùn)到高密度等離子體區(qū)的過(guò)程中與背景粒子發(fā)生庫(kù)倫碰撞,可以把一部分能量轉(zhuǎn)移成背景粒子的動(dòng)能,能量沉積在了背景等離子體中。同時(shí)高能粒子束在輸運(yùn)時(shí)會(huì)激發(fā)等離子體波,通過(guò)集體效應(yīng)(即等離子體振蕩),會(huì)將一部分能量沉積在背景等離子體中。本論文圍繞Reduced PIC/MCC算法及其數(shù)值模擬激光與高密度等離子體相互作用展開(kāi)工作,主要內(nèi)容為:1.對(duì)高能粒子的產(chǎn)生、輸運(yùn)和能量沉積的數(shù)值模擬模型進(jìn)行了綜述、對(duì)比和總結(jié),通過(guò)比較阻止本領(lǐng)模型、Flokker-Planck模型、PIC/MCC模擬模型和Reduced PIC/MCC模擬模型,得出Reduced PIC/MCC模擬模...
【文章頁(yè)數(shù)】:59 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
abstract
第一章 緒論
1.1 課題的背景與意義
1.2 高能粒子產(chǎn)生、輸運(yùn)和能量沉積的國(guó)內(nèi)外研究動(dòng)態(tài)
1.2.1 阻止本領(lǐng)模型
1.2.2 動(dòng)力學(xué)模型
1.3 本文的主要工作與創(chuàng)新
1.4 論文的結(jié)構(gòu)安排
第二章 高能粒子的產(chǎn)生、輸運(yùn)和能量沉積的理論和模擬方法
2.1 阻止本領(lǐng)模型
2.2 動(dòng)力學(xué)模型
2.2.1 Fokker-Planck模型
2.2.2 PIC/MCC模擬模型
2.2.3 Reduced PIC/MCC模擬模型
2.2.3.1 two-region模型
2.2.3.2 two-system模型
2.3 小結(jié)
第三章 Reduced PIC/MCC模擬方案
3.1 Reduced PIC/MCC模擬求解流程
3.2 電場(chǎng)求解
3.3 磁場(chǎng)求解
3.4 推動(dòng)粒子的運(yùn)動(dòng)
3.5 電流密度求解
3.5.1 快粒子的電流密度
3.5.2 背景粒子的電流密度
3.6 電子密度求解
3.7 歸一化
3.8 本章小結(jié)
第四章 Reduced PIC/MCC模擬及結(jié)果分析
4.1 激光與高密度等離子體相互作用模型
4.2 粒子密度分布
4.3 溫度變化
4.4 快電流密度變化
4.5 system1的y方向的電場(chǎng)
4.6 system2的x方向的電場(chǎng)
4.7 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
本文編號(hào):3792392
【文章頁(yè)數(shù)】:59 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
abstract
第一章 緒論
1.1 課題的背景與意義
1.2 高能粒子產(chǎn)生、輸運(yùn)和能量沉積的國(guó)內(nèi)外研究動(dòng)態(tài)
1.2.1 阻止本領(lǐng)模型
1.2.2 動(dòng)力學(xué)模型
1.3 本文的主要工作與創(chuàng)新
1.4 論文的結(jié)構(gòu)安排
第二章 高能粒子的產(chǎn)生、輸運(yùn)和能量沉積的理論和模擬方法
2.1 阻止本領(lǐng)模型
2.2 動(dòng)力學(xué)模型
2.2.1 Fokker-Planck模型
2.2.2 PIC/MCC模擬模型
2.2.3 Reduced PIC/MCC模擬模型
2.2.3.1 two-region模型
2.2.3.2 two-system模型
2.3 小結(jié)
第三章 Reduced PIC/MCC模擬方案
3.1 Reduced PIC/MCC模擬求解流程
3.2 電場(chǎng)求解
3.3 磁場(chǎng)求解
3.4 推動(dòng)粒子的運(yùn)動(dòng)
3.5 電流密度求解
3.5.1 快粒子的電流密度
3.5.2 背景粒子的電流密度
3.6 電子密度求解
3.7 歸一化
3.8 本章小結(jié)
第四章 Reduced PIC/MCC模擬及結(jié)果分析
4.1 激光與高密度等離子體相互作用模型
4.2 粒子密度分布
4.3 溫度變化
4.4 快電流密度變化
4.5 system1的y方向的電場(chǎng)
4.6 system2的x方向的電場(chǎng)
4.7 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
本文編號(hào):3792392
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