與傳統(tǒng)的晶態(tài)體材料相比,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有許多新穎的物理性質(zhì),蘊(yùn)藏著豐富的物理效應(yīng)�；谶@些物理性質(zhì)和物理效應(yīng),可以設(shè)計(jì)與制作高性能電子輸運(yùn)器件和光電子器件。建模仿真有助于了解光電器件新穎的物理特性,對(duì)器件的研制與改進(jìn)起到了非常重要的作用,而器件的實(shí)際測(cè)試驗(yàn)證則是必不可少的重要環(huán)節(jié)。由于雙勢(shì)壘的作用,雙勢(shì)壘量子點(diǎn)-量子阱的基態(tài)能級(jí)將變得更低,因此具有此結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器擁有更低的暗電流。并且量子點(diǎn)由于應(yīng)變弛豫,量子點(diǎn)也呈現(xiàn)了更好的光學(xué)特性。本文應(yīng)用Crosslight Apsys光電器件仿真軟件,在前人研究的基礎(chǔ)上,學(xué)習(xí)研究雙勢(shì)壘量子點(diǎn)-量子阱光電器件模型,進(jìn)一步進(jìn)行光電流瞬態(tài)譜,EL譜特性研究,研究量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)對(duì)光電特性的影響。給器件模型施加光脈沖,仿真了光電流隨光脈沖的瞬態(tài)響應(yīng)。進(jìn)一步討論光脈沖消失后,量子阱和量子點(diǎn)存儲(chǔ)的電子、空穴衰變過(guò)程。光電器件在低溫下會(huì)呈現(xiàn)新的特性。因此本文建立了一個(gè)模型來(lái)預(yù)測(cè)不同溫度下的Ⅰ-Ⅴ特性。預(yù)測(cè)結(jié)果表明該模型具有高的準(zhǔn)確性。

【文章頁(yè)數(shù)】：52 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 論文研究背景及意義
    1.2 本文的主要研究方法
    1.3 本文的研究?jī)?nèi)容和主要結(jié)構(gòu)
    1.4 本文創(chuàng)新點(diǎn)
    1.5 課題來(lái)源
第二章 半導(dǎo)體光電探測(cè)器研究基礎(chǔ)
    2.1 半導(dǎo)體光電探測(cè)器概述
        2.1.1 主要分類(lèi)
        2.1.2 主要性能參數(shù)
        2.1.3 發(fā)展趨勢(shì)
    2.2 低維量子效應(yīng)半導(dǎo)體光電探測(cè)器
    2.3 本章小結(jié)
第三章 InAs/InGaAs/GaAs光電器件建模仿真
    3.1 器件物理模型基本方程
    3.2 器件物理模型仿真工具
    3.3 雙勢(shì)壘量子點(diǎn)-量子阱光電器件的建模
    3.4 雙勢(shì)壘量子點(diǎn)-量子阱光電器件的仿真與分析
    3.5 本章小結(jié)
第四章 InAs/InGaAs/GaAs光電探測(cè)器Ⅰ-Ⅴ低溫建模
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 工作總結(jié)
    5.2 工作展望
參考文獻(xiàn)
攻讀學(xué)位期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文
致謝



本文編號(hào)：3792349