隨著碳化硅MOSFET器件在功率變換領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,碳化硅MOSFET器件的瞬態(tài)可靠性問(wèn)題成為研究熱點(diǎn)。文章主要研究了1 200 V SiC MOSFET瞬態(tài)可靠性的測(cè)試與表征。通過(guò)搭建短路和UIS測(cè)試通用的測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行實(shí)驗(yàn),對(duì)短路和UIS失效機(jī)理進(jìn)行分析。通過(guò)對(duì)商用器件進(jìn)行重復(fù)性測(cè)試,研究器件在兩種瞬態(tài)可靠性測(cè)試下性能退化情況,對(duì)器件內(nèi)部退化機(jī)理進(jìn)行合理的分析。

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引 言
1 短路與UIS失效的基本原理
    1.1 短路失效的基本原理
        1)時(shí)間段1(t1～t2)。
        2)時(shí)間段2(t2～t3)。
        3)時(shí)間段3(t3～t4)。
        4)時(shí)間段4(t4～)。
    1.2 UIS失效的基本原理
2 實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
3 測(cè)試結(jié)果以及分析
    3.1 短路測(cè)試結(jié)果
    3.2 UIS測(cè)試結(jié)果
4 結(jié) 論



本文編號(hào)：3777491