隨著碳化硅MOSFET器件在功率變換領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,碳化硅MOSFET器件的瞬態(tài)可靠性問題成為研究熱點。文章主要研究了1 200 V SiC MOSFET瞬態(tài)可靠性的測試與表征。通過搭建短路和UIS測試通用的測試平臺進行實驗,對短路和UIS失效機理進行分析。通過對商用器件進行重復(fù)性測試,研究器件在兩種瞬態(tài)可靠性測試下性能退化情況,對器件內(nèi)部退化機理進行合理的分析。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 短路與UIS失效的基本原理
    1.1 短路失效的基本原理
        1)時間段1(t1～t2)。
        2)時間段2(t2～t3)。
        3)時間段3(t3～t4)。
        4)時間段4(t4～)。
    1.2 UIS失效的基本原理
2 實驗平臺
3 測試結(jié)果以及分析
    3.1 短路測試結(jié)果
    3.2 UIS測試結(jié)果
4 結(jié) 論



本文編號：3777491