提出了一種基于BSIM4的屏蔽柵溝槽MOSFET緊湊型模型.在直流模型中使用兩端電勢(shì)建立JFET區(qū)等效電阻模型,并引入電子擴(kuò)散區(qū)等效電阻,解決了因忽視JFET區(qū)源端電勢(shì)導(dǎo)致的電流存在誤差的問題.在電容模型中,漏源電容模型在BSIM4的基礎(chǔ)上添加了屏蔽柵-漏等效電容模型,柵漏電容模型將柵漏偏置電壓修改為柵極同柵-漂移區(qū)重疊區(qū)末端節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)差.使用泊松方程求解該節(jié)點(diǎn)電勢(shì),并引入柵氧厚度因子k1、屏蔽柵氧化層厚度因子k2、等效柵-漂移區(qū)重疊長度Lovequ和等效屏蔽柵長LSHequ對(duì)柵和屏蔽柵的結(jié)構(gòu)進(jìn)行等效,以簡(jiǎn)化泊松方程的計(jì)算并確保該節(jié)點(diǎn)電勢(shì)曲線的光滑性.使用Verilog-A編寫模型程序,搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái)測(cè)試屏蔽柵溝槽MOSFET的直流特性、電容特性和開關(guān)特性,模型仿真結(jié)果與測(cè)試數(shù)據(jù)有較好的擬合,驗(yàn)證了所建模型的有效性.

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本文編號(hào)：3776645