以可延展和可彎曲為特點的柔性電子器件因其在信息、醫(yī)療、能源等領(lǐng)域的巨大前景而受到眾多研究者的廣泛關(guān)注,成為近年來的研究熱點。氧化物功能薄膜材料由于其豐富的電學/磁學/光學等性能及獨特的多場耦合特性,成為物理學和材料學的重要研究對象,并被應(yīng)用于各種電學/光學器件中。隨著器件越來越多地應(yīng)用于各種復雜曲面環(huán)境以及與人體或人體組織密切貼合,對氧化物薄膜器件可延展和可彎曲等柔性化的需求日益迫切。由于高質(zhì)量氧化物薄膜的生長需要較高的溫度,且對生長基底和薄膜之間的界面控制要求較高,因此,氧化物薄膜與可延展柔性基底的集成存在很大的挑戰(zhàn)。將氧化物薄膜直接沉積在柔性金屬箔片或高分子基底上,需要克服金屬基底與薄膜界面控制困難或高分子基底對生長溫度的耐受性差等困難。在剛性基底上沉積功能氧化物薄膜后,通過剝離、轉(zhuǎn)印到可延展柔性基底上是一種解決方案。但其中的挑戰(zhàn)在于如何可控地將薄膜完整地從生長基底剝離。針對這一挑戰(zhàn),發(fā)展了通過化學刻蝕犧牲層的化學轉(zhuǎn)印技術(shù)和通過范德瓦爾斯外延或激光剝離的物理剝離方法。本文綜述了近年來發(fā)展的氧化物薄膜器件柔性化的若干進展,歸納了以上幾種主要的柔性化策略,包括在金屬基底、高分子基底等柔...

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【文章目錄】：
0 引言
1 直接生長法
    1.1 金屬箔上制備薄膜
    1.2 柔性高分子基底上制備薄膜
2 化學轉(zhuǎn)印法
    2.1 SOI或Si O2/Si基底沉積薄膜后刻蝕
    2.2 單晶基底上制備的功能薄膜轉(zhuǎn)印
3 物理剝離法
    3.1 云母上制備氧化物薄膜后剝離
    3.2 基底上沉積后激光剝離
4 總結(jié)與展望



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