隨著薄膜晶體管(Thin-film transistor,TFT)在各類新興電子產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用,作為各類電子設(shè)備的關(guān)鍵組件,其工作電壓和穩(wěn)定性面臨著巨大挑戰(zhàn)。為了滿足未來高度集成化、功能復雜的應(yīng)用場合,實現(xiàn)其低工作電壓和高穩(wěn)定性就變得異常重要。我們在150 mm×150 mm大面積玻璃基底上,采用磁控濺射非晶銦鎵鋅氧化物(amorphous indium-gallium-zinc-oxide,a-IGZO)作為有源層,以原子層沉積(ALD)Al₂O₃為柵絕緣層,制備了底柵頂接觸型a-IGZO TFT,并研究了50,40,30,20 nm超薄Al₂O₃柵絕緣層對TFT器件的影響。其中,20 nm超薄Al₂O₃柵絕緣層TFT具有最優(yōu)綜合性能:1 V的低工作電壓、接近0 V的閾值電壓和僅為65.21 mV/dec的亞閾值擺幅,還具有15.52cm²/(V·s)的高載流子遷移率以及5.85×10⁷的高開關(guān)比。同時,器...

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【文章目錄】：
1 引 言
2 實 驗
3 結(jié)果與討論
    3.1 物態(tài)與形貌分析
    3.2 Al2O3柵絕緣層厚度對TFT器件性能的影響
    3.3 偏壓穩(wěn)定性
    3.4 分布均一性
    3.5 共源極放大電路
4 結(jié) 論



本文編號：3774085