為了研究絕緣襯底上硅(SOI)工藝器件在傳導(dǎo)干擾下的電磁抗擾度特性,分別選用了SOI CMOS工藝和體硅CMOS工藝的CAN控制器,基于直接功率注入法對(duì)芯片進(jìn)行了抗擾度測(cè)試,結(jié)果表明SOI芯片與體硅芯片的抗擾度閾值曲線的變化趨勢(shì)基本相同,但在個(gè)別引腳和頻段內(nèi)SOI芯片具有更強(qiáng)的抗干擾能力。在不同工作溫度下進(jìn)行了抗擾度測(cè)試,結(jié)果表明SOI芯片在高溫環(huán)境下具有較強(qiáng)的抗干擾能力。

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【文章目錄】：
引言
1 SOI技術(shù)及其優(yōu)勢(shì)
2 電磁抗擾度測(cè)試
    2.1 測(cè)試芯片
        2.1.1 芯片簡(jiǎn)介
        2.1.2 測(cè)試引腳及失效判據(jù)
    2.2 不同工藝下的抗擾度測(cè)試
        2.2.1 測(cè)試平臺(tái)與測(cè)試流程
        2.2.2 測(cè)試結(jié)果
3 溫度效應(yīng)抗擾度測(cè)試
4 結(jié)論



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