采用激光分子束外延方法在Al₂O₃(0001)單晶襯底上進(jìn)行了Zn_1-xCd_xO/Zn_O單量子阱結(jié)構(gòu)的生長,通過控制基底溫度、氧氣分壓等,獲得了阱寬約為1.0,1.5和4.0 nm的單量子阱結(jié)構(gòu),研究了量子阱組分、表面形貌、熒光發(fā)射特性.結(jié)果表明,通過脈沖激光燒蝕陶瓷靶的方法獲得的Zn_1-xCd_xO中Cd含量x約為2%,外延膜表面平整均勻,界面質(zhì)量良好,在325 nm He-Cd激光激發(fā)下,獲得了非常強(qiáng)的光致熒光發(fā)射,1.0 nm量子阱結(jié)構(gòu)熒光發(fā)射峰半高寬達(dá)到60 meV,通過量子阱寬度的調(diào)控,量子阱的發(fā)射峰從3.219 eV紅移到3.158 eV,且隨著阱寬的增加,量子限制效應(yīng)變?nèi)?阱寬4.0 nm樣品),通過生長溫度、氣壓條件的控制,量子阱的缺陷密度可控制在較低水平.

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