在藍(lán)寶石襯底上制備了柵長(zhǎng)Lg為0.25μm的增強(qiáng)型Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTs,采用刻蝕凹柵與ALD(原子層淀積)Al₂O₃介質(zhì)層的方法研制器件.研制的增強(qiáng)型MIS-HEMT器件的閾值電壓為+2.2V,飽和電流為512.3mA/mm.通過變頻變溫C-V方法測(cè)試提取的Al₂O₃介質(zhì)層與AlGaN勢(shì)壘層之間的界面態(tài)密度相應(yīng)于能級(jí)范圍(EC-0.35)eV^EC-0.65eV從8.50×1012 cm-2eV-1減小到9.73×1011 cm-2eV-1.另外,研制器件展示了突出的射頻性能,其截止頻率(fT))為30.5GHz,最高振蕩頻率(fmax)為71.5GHz.連續(xù)波測(cè)試模式時(shí),該器件在8GHz頻率下,飽和輸出功率密度為1.7 W/mm,相應(yīng)附加功率效率為32.6%.展現(xiàn)出凹柵增強(qiáng)型MISHEMT在X波段射頻電路中的應(yīng)用潛力.

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【文章目錄】：
1 引言
2 器件結(jié)構(gòu)與工藝
3 結(jié)果與討論
4 結(jié)束語



本文編號(hào)：3765697